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1.
Investigation of External Optical Feedback Resistance of IC—DFB and GC—DFB Lasers Using a Very Simple Experimental set—up
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We study the external optical feedback resistance of both index-coupled(IC) and gain-coupled distributed feed-back(DFB) lasers using a very simple experimental set-up.Though IC-DFB lasers with large coupling coefficients are found to be less sensitive to external reflection,they suffer from mode instability at high injection level.On the other hand ,the introduction of gain-coupling mechanism can significantly improve both the immunity of external optical feedback and the single mode yield of the device. 相似文献
2.
<正>随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。 相似文献
3.
4.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比
关键词:
半绝缘GaN薄膜
载气
金属有机气相外延
位错 相似文献
5.
6.
7.
圆扫描变像管人卫激光测距技术研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在本文中,我们设计并研制了用于毫米级精度人卫激光测距的圆扫描时间分析系统。研制的圆扫描变像管理论时间分辨率可优于3ps,可用于双色测距;偏转灵敏度高达10cm/kV,偏转空间分辨率优于24lp/mm;利用双MCP内增强,增益~1×106,并有门控功能以进一步提高信噪比和动态范围。扫描控制电路能提供300MHz、10W的正弦信号,其频率、幅度、相位稳定度均可满足要求。调试过程中较好地解决了阻抗变换、空间干扰和相位正交等关键问题。在仅2W的RF功率驱动下,即可实现稳定的φ24mm的圆扫描,系统实测时间分辨率达4.8ps。在实验室实测测距精度达亚毫米级。动态实验及模拟测距表明,该时间分析系统可满足第四代人卫激光测距系统的需要。 相似文献
8.
Vertical and Smooth, etching of InP by Cl2/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma at Room Temperature 总被引:2,自引:0,他引:2
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We study the room-temperature dry, etching of InP by inductively coupled plasma (ICP) using C12/CH4/Ar mixtures. Etches were characterized in terms of anisotropy and surface roughness by scanning electron microscopy and atomic force microscopy, respectively. It is found that the flow ratio between C12 and Ctt4, ICP power, rf chuck power, and table temperature can greatly influence the, etching results. By adjusting, etching parameters,vertical sidewall and smooth surface can be obtained simultaneously, together with a moderate, etch rate and a good select ratio. The root-mean-square surface roughness is measured to be as low as 0.27nm. To the best of our knowledge, this is the best result for InP to date. The, etch rate is 855nm/min, and the selectivity ratio overSi02 is estimated to be higher than 15:1. The stoichiometry of the, etched surface has also been investigated by Auger electron spectroscopy. The, etched surface is found to manifest a slight P deficiency, and the ratio between P and In reaches the stoichiometric value within about 0.75nm depth into the surface. 相似文献
9.
Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma
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Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma (ICP) at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10:1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser. 相似文献
10.
提出了一种基于朗伯型反射面的LED间接照明系统,即LED光源出射的光全部通过朗伯型反射面反射后再照射目标区域,该系统具有光源亮度均匀、灯具效率高等优点,很好地解决了高亮度LED点光源给室内照明带来的眩光问题。首先提出了一种能够很好逼近朗伯反射面的复合型微结构表面,并通过Lighttools光学仿真对其分布参数进行了优化,使最终结果在不同光线入射角的情况下,都具有较理想的余弦反射特性。在此基础上,设计了整体光学系统,使其实现了近180°范围的角度亮度的均匀性和高达84.7%的灯具效率,验证了间接照明方法的可行性。 相似文献