具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计

对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,并开发了用于优化窗口尺寸和位置的计算机程序。TCAD 2-D工艺仿真验证了该技术的可行性。设计了漂移区长度约为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,与RESURF结构器件相比较,其漂移区电场近似为理想的常数分布,并且击穿电压提高约8%,漂移区浓度提高约127%。由此可见,VLT是一种理想的横向耐压技术。     

IC封装中引线键合互连特性分析

研究了芯片封装中键合线的建模和模型参数提取方法.根据二端口网络参量,提出了单键合线的П型等效电路并提取了模型中的R、L和C参量.最后,设计出一个简单、低成本的测试结构验证了仿真分析结果.     

达信公司百千瓦陶瓷激光器技术综述

美国达信公司用其特有的ThinZag技术和大尺寸的陶瓷Nd:YAG薄板条作为激光增益介质,六个增益模块串联形成谐振腔单口径实现100 kW的激光输出.介绍了达信公司100 kW陶瓷Nd:YAG板条激光器的一些基本情况以及其独特的冷却及光路结构特征,并分析了该结构所具有的优势.     

这是怎样的“小时代”——兼论影视作品的价值取向和艺术取向

这个夏天,一部电影《小时代》引爆了票房,也引发了争议,从电影院里"小的在尖叫,老的喊退票",到互联网上70后、80后与90后的网络对峙,双方掀起一轮接一轮的"口水战"。有影评人公开表示:"《小时代》的炫富和堆砌达到一种病态的境界。"《人民日报》发文称,"《小时代》让很多人看到了青春之外的东西,产生了无法摆脱的不安"。台湾     

Design and characterization of a 3D encapsulation with silicon vias for radio frequency micro-electromechanical system resonator

In this paper, we present a three-dimensional(3D) vacuum packaging technique at a wafer level for a radio frequency micro-electromechanical system(RF MEMS) resonator, in which low-loss silicon vias is used to transmit RF signals.Au–Sn solder bonding is adopted to provide a vacuum encapsulation as well as electrical conductions. A RF model of the encapsulation cap is established to evaluate the parasitic effect of the packaging, which provides an effective design solution of 3D RF MEMS encapsulation. With the proposed packaging structure, the signal-to-background ratio(SBR) of 24 dB is achieved, as well as the quality factor(Q-factor) of the resonator increases from 8000 to 10400 after packaging.The packaged resonator has a linear frequency–temperature( f –T) characteristic in a temperature range between 0℃ and 100℃. And the package shows favorable long-term stability of the Q-factor over 200 days, which indicates that the package has excellent hermeticity. Furthermore, the average shear strength is measured to be 43.58 MPa among 10 samples.     

基于高速数模混合下分频模块实现的低抖动频率综合器

论文采用高速数模混编的下分频模块实现了一个低抖动射频锁相环频率综合器。在设计中采用了多项电路技术以提高锁相环系统中高速数模混合下分频模块的设计复杂度并提升了电路的性能。提出了一种改进型D-latch以提高下分频模块中的双模分频器速度与驱动能力。通过在双模分频器中将“或”逻辑门与D-latch整合,在降低了D触发器与逻辑门间的工作延迟的同时也降低了电路的复杂度。下分频模块中的可编程分频器采用了基于标准深亚微米CMOS单元库与更为精确的线负载模型的新设计方法实现。此外,锁相环中的电荷泵采用了改进的电路结构以提高其电流匹配度从而降低整个系统的抖动。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,所测得的频率综合器的在距离其中心频率100kHz处的相位噪声为-101.52 dBc/ Hz。所测得的系统的输出的RMS抖动仅为3.3ps。电源电压为1.8V时,功耗仅为36mW。     

大整数乘法器的FPGA设计与实现

大整数乘法是公钥加密中最为核心的计算环节,实现运算快速的大数乘法单元是RSA, ElGamal,全同态等密码体制中急需解决的问题之一。针对全同态加密(FHE)应用需求,该文提出一种基于Sch?nhage-Strassen算法(SSA)的768 kbit大整数乘法器硬件架构。采用并行架构实现了其关键模块64k点有限域快速数论变换(NTT)的运算,并主要采用加法和移位操作以保证并行处理的最大化,有效提高了处理速度。该大整数乘法器在Stratix-V FPGA上进行了硬件验证,通过与CPU上使用数论库(NTL)和GMP库实现的大整数乘法运算结果对比,验证了该文设计方法的正确性和有效性。实验结果表明,该方法实现的大整数乘法器运算时间比CPU平台上的运算大约有8倍的加速。     

光接收机前端等效输入噪声电流谱密度与噪声系数间的关系

根据光接收机前端等效电路模型,建立了噪声系数与等效输入噪声电流谱密度的关系.提出通过测量光接收机前端电路噪声系数间接获得等效输入噪声电流谱密度的方法.155Mb/s高阻结构光接收机前置放大器的电路仿真与计算验证了推导公式的正确性.最后给出在芯片测试实例.     

浅谈"集成电路版图CAD"课程建设

"集成电路版图CAD"课程是集成电路设计与微电子专业的一门重要的专业课。本文介绍了"集成电路版图CAD"课程建设和改革的实践和体会,提出了一些具体的想法和思路,着重对课程教学内容、教学体系的整合和优化、实验教学内容和教学方法进行了讨论,"一条主线、两个流程"贯穿实验教学,增强学生的工程实践技能,进而提高教学质量。