复合层合梁层裂损伤与超声导波的相互作用研究

基于谱有限元法(SFEM),建立了压电晶片驱动/传感与各向异性层状复合梁耦合的谱有限元模型,数值模拟研究了耦合系统超声导波的激发、传播特征,并分析了导波与损伤的相互作用。模型中复合梁采用铁木辛柯梁理论、压电晶片层采用欧拉伯努利梁理论,利用哈密顿原理得到梁/压电晶片的时域耦合运动控制方程和边界条件,通过快速傅里叶变换将耦合运动控制方程转换至频域可导出谱有限元模型。与有限元分析结果比较表明,所建模型可精确模拟复合梁中导波的传播且计算效率高。进而分析了导波和层裂损伤的相互作用,结果表明导波在缺陷处会产生反射,且反射信号到达压电传感器的时间和幅值与缺陷的位置及长度有关。     

The design and numerical analysis of tandem thermophotovoltaic cells

In this paper, numerical analysis of GaSb （Eg = 0.72 eV）/Gao.84Ino.16Aso.14Sbo.86 （Eg = 0.53 eV） tandem thermopho- tovoltaic （TPV） cells is carried out by using Silvaco/Atlas software. In the tandem cells, a GaSb p-n homojunction is used for the top cell and a GalnAsSb p-n homojunction for the bottom cell. A heavily doped GaSb tunnel junction connects the two sub-cells together. The simulations are carried out at a radiator temperature of 2000 K and a cell temperature of 300 K. The radiation photons are injected from the top of the tandem cells. Key properties of the single- and dual-junction TPV cells, including I-V characteristic, maximum output power （Pmax）, open-circuit voltage （Voc）, short-circuit current （/~sc）, etc. are presented. The effects of the sub-cell thickness and carrier concentration on the key properties of tandem cells are investigated. A comparison of the dual-TPV cells with GaSb and GalnAsSb single junction cells shows that the Pmax of tandem cells is almost twice as great as that of the single-junction cells.     

正丁胺对晶态层状苯乙烯基膦酸-磷酸氢锆的插层研究

合成了晶态层状有机-无机多功能材料苯乙烯基膦酸-磷酸氢锆(α-ZPPVPA),并研究了正丁胺(BA)对α-ZPPVPA的插层性能。用元素分析、XRD、IR、TG、SEM和TEM等分析方法对α-ZPPVPA及其插层化合物α-ZPPVPA-BA进行了结构表征和形貌分析。结果表明,正丁胺成功地插入了α-ZPPVPA层板之间,层间距为2.41 nm,正丁胺的插入使α-ZPPVPA的层间距(1.66 nm)增大了0.75 nm,插入的正丁胺在α-ZPPVPA中呈双分子层排列,且苯乙烯基侧链不饱和双键的存在不影响α-ZPPVPA与正丁胺的插层反应。     

不同厚度的MgB_2超薄膜的制备和性质研究

本文报导了利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)在SiC(0001)衬底上制备干净的MgB2超薄膜.在背景气体压强、载气H2流量等条件一定的情况下,改变B2H6流量及沉积时间,制备不同厚度的MgB2超薄膜样品,并研究了超导转变温度Tc、剩余电阻率ρ(42K)、上临界场Hc2等与膜厚的关系.这系列超薄膜生长沿c轴外延,随膜厚度的变小Tc(0)降低,ρ(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于10nm厚的膜,Tc(0)~32.4K,ρ(42K)~124.92μΩ·cm,其表面连接性良好,平均粗糙度为2.72nm,上临界磁场Hc2(0K)~12T,零场4K时的临界电流密度Jc~107A/cm2,为迄今为止所观测到的10nm厚MgB2超薄膜的最高Jc值,这也证明了10nm厚的MgB2膜在超导纳米器件上具有很强的应用潜力.     

新固载型手性Salen Mn(Ⅲ)催化剂的合成及催化苯乙烯不对称环氧化反应

以低聚苯乙烯基膦酸-磷酸氢锆(ZSPP)作为载体, 对该载体进行氯甲基化、磺酸化修饰后与手性Salen Mn(Ⅲ)轴向配位, 合成了一种新固载型手性Salen Mn(Ⅲ)催化剂; 采用FTIR,DR UV-Vis, AAS, SEM, TEM, TG和N2吸附等手段对催化剂进行了表征. 以苯乙烯不对称环氧化为探针反应, 初步考察了催化剂在不同氧源、 反应温度、 反应时间和催化剂用量等因素下的催化性能. 结果表明, 该催化剂具有良好的催化活性, 转化率最高达到85％, 选择性为90％, e.e.值为64％. 固载手性Salen Mn(Ⅲ)催化剂性质稳定, 能循环使用6次.     

“推广的休克尔规则”一文作者来函

我在《化学通报》1983年11期上发表的“推广的休克尔规则——多环共轭体系芳香性的判别”一文,原是针对教学中发现的问题于1981年写成,目的是为学生提供一个简单近似的判别法,后经修改后投《化学通报》。文章发表后,我来美以访问学者身份作有机合     

手性salen(Mn)催化烯烃不对称环氧化反应的研究进展

烯烃的不对称环氧化物通过选择性开环或者官能团的转化,可以生成一系列有价值的手性化合物,被广泛用作医药、农药、香料等精细化学品的合成中间体.手性Mn(salen)金属配合物被证明是烯烃不对称环氧化最有效的催化剂之一.本文综述了近年来均相手性Mn(salen)催化剂、有机聚合物固载的手性Mn(salen)、无机载体固载手性...     

酚氧基修饰的AlPS-PVPA固载手性Salen Mn(III)催化剂的合成及催化烯烃不对称环氧化研究

以有机共聚物-无机杂化材料聚（苯乙烯-苯乙烯基膦酸）-磷酸铝（AlPS-PVPA）为载体,酚氧基为连接基团,轴向配位手性salen Mn（Ⅲ）制备了新型固载手性salen Mn（Ⅲ）催化剂,并运用FT-IR,UV-vis,XPS,SEM,TG,元素分析等手段对其进行了表征.以m-CPBA为氧化剂,茚和α-甲基苯乙烯为底物,考察了催化剂对非功能化烯烃不对称环氧化反应的催化性能.结果表明,在相同的条件下,固载催化剂3a~3d在不加助催化剂NMO时显示出了优良的催化活性,其转化率和ee值均比添加了轴向配体NMO时有很大的提高（ee%,99.2 vs.45.9; conv%,98.6 vs.64.6）,这种现象与大多数文献报道相反.此外,催化剂容易分离,且回收使用9次仍能保持较好的催化活性.     

取代氨乙基膦酸的简便合成

以2-氯乙基膦酸和胺为原料，经一步反应合成了3种取代氨乙基膦酸，合成工艺条件为：2-氯乙基膦酸200mmol，n(2-氯乙基膦酸)：n(胺)=1：1．1，反应温度18℃，反应时间120h，pH8～10，KI作催化剂，收率78．2％～91．0％。用元素分析，IR和^1H NMR表征了标题化合物。     

2,5-二噻吩基吡咯衍生物的合成与应用研究进展

2,5-二噻吩基吡咯衍生物具有良好的环境稳定性和电化学性质,在光电子领域有广泛的应用前景.综述了2,5-二噻吩基吡咯衍生物中噻吩环和吡咯环上不同位置取代衍生物的合成方法,并对2,5-二噻吩基吡咯衍生物在电致变色器件、光电子器件、传感器等方面的应用进行了概述.