高温退火Cu(111)衬底上生长高质量厘米尺寸单晶石墨烯（英文）

二维(2D)石墨烯具有原子层厚度,在电子器件中展示出突破摩尔定律限制的巨大潜力。目前,化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于石墨烯生长的方法,满足低成本、大面积生产和易于控制层数的需求。然而,由于催化金属(例如Cu)衬底一般为多晶特性,导致CVD法生长的石墨烯晶体质量相对较差。为此,通过高温退火工艺制备了Cu (111)单晶衬底,使石墨烯的初始成核过程得到了很好的控制,从而实现了厘米尺寸的高质量单晶石墨烯的制备。根据二者的晶格匹配关系,Cu (111)衬底为石墨烯生长提供了唯一的成核取向,相邻石墨烯成核岛的边界能够缝合到一起。单晶石墨烯具有高电导率,相较于原始多晶Cu上生长的石墨烯(1 415.7Ω·sq^-1),其平均薄层电阻低至607.5Ω·sq^-1。高温退火能够清洁铜箔,从而获得表面粗糙度较低的洁净石墨烯。将石墨烯用于场效应晶体管(FET),器件的最大开关比为145.5,载流子迁移率为2.31×10³ cm²·V^-1·s^-1。基于以上结果,相信本工作中...     

AlN光电导X-射线探测研究

使用AlN制备了光电导结构的X-射线探测器,研究了探测器对X-射线强度的响应。探测器具有很小的漏电流,在100V的偏压下小于0.1 nA。光电流测量表明：X-射线强度与探测器的光电流成平方关系,并且在强X-射线照射下,光电流与暗电流之比可达到10。利用ABC模型,对探测器的X-射线强度响应特性进行了分析,给出了很好的物理机制解释。     

液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究

介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术.通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaA微探尖.在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来.扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑凡转移过程无损伤.这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复,表面光滑、适合批量生产的优点.     

Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与InP体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减小。     

固相萃取-高效液相色谱法测定中药制剂及保健食品中芍药苷

应用固相萃取-高效液相色谱法测定中药制剂及保健食品中芍药苷的含量。样品经30%(体积分数)乙醇溶液提取,酸性氧化铝固相萃取柱净化。以C18色谱柱为分离柱,用乙腈和0.1%(体积分数)磷酸溶液以不同比例混合的溶液为流动相进行梯度洗脱,在检测波长230nm处进行测定。芍药苷的质量浓度在2.00~200mg·L-1范围内与其峰面积呈线性关系,方法的检出限(3S/N)为0.5mg·L-1。加标回收率在99.5%~101%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在均小于2%。     

利用折射光束校正的GRIN透镜阵列的高亮度准连续泵浦源

本文阐述了一种关于准直传导制冷的准连续二极管激光阵列技术，可以在紧凑坚固的封装中获得非常高的亮度。首先利用Doric GRIN柱面透镜校准快轴方向的激光条，此处每个透镜都用于修正每个激光条的总定位误差。然后利用一个专利波前成像系统测量光束残差，并制作了波前修正相位片来有效地展平波前。在未准直的情况下，所用透镜的像差都特别低，从而可以保证合成波前得到有效修正。本文将此项技术用于1．2kW、2个0．5mm间距、12个激光条的阵列中。采用该方法，重复获得的阵列亮度放大10倍，减少了整个阵列的快轴光束发散角，低于0．30，接近理论极限。实现了极其紧凑、为侧向泵浦薄平板激光器优化的高亮度光源。     

多步斜坡升温——恒温平台石墨炉法直接测定葡萄酒中微量铅

研究了一种直接测定葡萄酒中微量铅的方法，以硝酸－磷酸二氢铵体系为基体改进剂，采用多步斜坡并温，恒温平台石墨炉技术，测定了四个国家五种类别葡萄酒中微量铅，回收率９７％～１０４％，精密度优于３．９％。     

流动注射在线预浓集－火焰原子吸收光谱法测定葡萄酒中微量铅

流动注射在线预浓集－火焰原子吸收光谱法测定葡萄酒中微量铅孙晓娟（江苏石油化工学院应用化学系，常州，２１３０１６）Ｂ．ＷｅｌｚＭ．Ｓｐｅｒｌｉｎｇ（Ｐ－Ｅ有限公司，Ｄ－８８６６２　于伯林根，德国）关键词铅，葡萄酒，微波消解，流动注射在线预浓集，火焰原子...     

部分时滞诱发Watts-Strogatz小世界神经元网络产生随机多共振

已有研究显示时滞可诱发神经元网络产生随机多共振,但它们主要讨论了神经元间的耦合都存在时滞的情形.然而实际中,有些神经元间的信息传递是瞬时的或时滞很小可以忽略的,即神经元网络中只有部分神经元间的耦合具有时滞,简称部分时滞(若神经元网络内共有l条耦合边,其中有l1条耦合边是具有时滞的,而剩余的耦合边的时滞为零,则我们称这类时滞为部分时滞).本文以Watts-Strogatz小世界神经元网络为研究对象,主要讨论部分时滞对该神经元网络系统响应强度的影响.研究结果指出,系统响应强度随部分时滞的增加呈现多峰的变化态势,即部分时滞可诱发随机多共振现象;而且使系统响应强度达到最优水平的部分时滞的取值区间随随机时滞边概率的增加渐渐变窄,当随机时滞边概率足够大时,系统响应强度只有在时滞位于外界信号周期的整数倍附近才会达到最优.此外,我们还分析了随机连边概率和神经元网络中边的总数对部分时滞诱发的随机多共振现象的影响.结果显示,部分时滞诱发的随机多共振现象对随机连边概率具有一定的鲁棒性,而神经元网络中边的总数对部分时滞诱发的随机多共振的影响则较大.