高效液相色谱电喷雾质谱快速鉴定粉葛中C-苷及O-苷同分异构体

采用高效液相色谱(二极管阵列)/电喷雾质谱联用系统( HPLC-PDA-ESI-MSn)快速鉴定中药粉葛中C-苷及O-苷异黄酮同分异构体.选用Hypersil Gold C18(150 mm×2.1 mm×3 μm)色谱柱,以水(含0.1％甲酸)-乙腈为流动相进行梯度洗脱,研究了粉葛中11种异黄酮类化合物的正离子一级、...     

热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.     

高温热处理a面AlN表面形貌演变机理

非极性a面AlN(a-AlN)能够从根本上解决极性AlN引起的量子限制斯塔克效应问题,是提升AlGaN发光器件效率的有效途径.但是,非极性AlN生长面临更大的挑战,目前难以实现低缺陷密度、高平整表面的非极性a-AlN.高温热处理是一种提高AlN质量的有效方法,但在热处理过程中,非极性a-AlN的表面形貌演变的物理机理尚...     

GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移

报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法-GaAs衬底选择湿法刻蚀技术.利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征.结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤.这种技术对实现由带有PIN光探测器的垂直腔面发射激光器与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着非常重要的应用价值.     

一种新型中性一价铜配合物的合成、晶体结构与光物理性能（英文）

利用二亚胺配体和双齿膦配体成功合成了一种新的中性一价铜配合物,通过~1HNMR、~(13)CNMR、~(31)PNMR和X-射线单晶衍射等手段对配合物结构进行了表征。该配合物为典型的扭曲四面体构型,在固态具有较高的稳定性。理论计算显示,中心金属离子对最高电子占据轨道(HOMO)和最低电子未占轨道(LUMO)贡献很小,且配合物的最低能量电子跃迁主要是配体间的电荷跃迁(LLCT)。该配合物在固态表现出了较高效率和长寿命的室温发光。通过对比298K和77K温度下的光物理数据,确定了该配合物的室温发射光为磷光。     

Pattern Synchronization in a Two-Layer Neuronal Network

Pattern synchronization in a two-layer neuronal network is studied. For a single-layer network of Rulkov map neurons, there are three kinds of patterns induced by noise. Additive noise can induce ordered patterns at some intermediate noise intensities in a resonant way; however, for small and large noise intensities there exist excitable patterns and disordered patterns, respectively. For a neuronal network coupled by two single-layer networks with noise intensity differences between layers, we find that the two-layer network can achieve synchrony as the interlayer coupling strength increases. The synchronous states strongly depend on the interlayer coupling strength and the noise intensity difference between layers.     

氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250 ℃的温度下,氮化硅(SiN_x)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压(I-V)测试表明:在460 ℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10^-3 S·m^-1增加到2.1×10^-2 S·m^-1。高温变温电导测试表明:氮空位(V³⁺_N)和Si在AlN中的激活能为1.03 eV和0.45 eV。     

SiO2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

采用对a-AlGaN表面沉积SiO₂纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO₂纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO₂纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于10³。     

用纳米印刷技术制备微机械和微流体金属光栅器件

纳米印刷技术是一种制备大面积亚波长光栅的新技术。基于此光栅的滤光器具有光谱的特性。利用波长耦合分析法对光栅进行理论模拟,此模拟允许反射率取最大和最小值：利用微电子机械系统（MEMS）制备微流体和微机械光栅,这些光栅是制备可调滤光器和其他可选择波长器件的基本元件。这些可调器件通过改变光栅表面的折射率实现波长的选择。如果在光栅表面附着一层水膜。光栅共振波长可改变33％;如果在光栅表面覆盖石英。则共振波长从558nm改变到879nm,波长改变率高达58％。此外,大约有3种因素可改变单一波长的折射率。这些光栅器件在可调滤光器或光调节器方面有着重要的应用价值。     

基于MATLAB的静止无功发生器系统仿真

基于MATLAB中的动态仿真工具SIMULINK,建立了静止无功发生器的仿真模型。以含有静止无功发生器的单机无穷大系统为例,结合多目标控制方法,用S-Function仿真分析了静止无功发生器在系统暂态故障过程中的调节作用。仿真结果验证了所设计的多目标控制器的正确性以及本无功发生装置仿真模型的有效性。