CCD狭缝摄象

在过去的几十年中,各靶场已广泛应用狭缝摄影对种种飞行弹丸的多项重要技术参数进行测试,它在许多测试项目中应用的有效性、广泛性和经济性已被人们所肯定。据报道,在国外的一些靶场所进行的发射试验中,狭缝摄影机曾占全部测试设备中所使用的摄影仪器的百分之九十,这是因为狭缝摄影有其独特的、其它方法不可比拟的优点。     

7342 ISAM FTTU引领FTTx宽带光接入发展潮流

进入21世纪以来,全球宽带接入网进入了大发展阶段.Point-Topic公司目前公布的统计显示:全球宽带用户数量目前已经在3亿户左右,中国以5949万的宽带用户数仅次于美国的6000万排名第二.2005年底美国三大RBOC运营商联合发布了GPON的设备招标,2006年美国Verzion、AT&T以及法国电信等已经开始大规模应用GPON部署三重播放网络,业界预测ADSL大规模应用的历史将会在GPON上重演.     

Effect of Alumina and Chromium Interlayers on Microstructures and Optical Properties of Thin Ag Films on Glass Substrates

Effects of alumina and chromium interlayers on the microstructure and optical properties of thin Ag films are investigated by using spectrophotometry, x-ray diffraction and AFM. The characteristics of Ag films in Ag/glass, Ag/l2O3/glass and Ag/Cr/glass stacks are analysed. The results indicate that the insertion of an Al2O3 or Cr layer decreases the grains and influences the reflectance of Ag films. The reflectance of the Ag film can be increased by controlling the thickness of alumina interlayer. The stability of Ag films is improved and the adhesion of Ag films on glass substrates is enhanced by alumina as an interlayer.     

最有效的相容剂是两嵌段还是多嵌段聚合物？

采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A／B／嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性．占总体积19％的A组份在体系中为分散相．模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为．两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积．从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生．     

关于推荐评选胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖的通知

一、2 0 0 2— 2 0 0 3年度胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖的推荐评选工作 ,完全依照经2 0 0 0年 2月 2 5日中国物理学会常务理事会修改的“中国物理学会胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖章程”进行 .二、依照章程 ,在本通知发出后 ,即开始本届五项物理奖的推荐和评选工作 .各位基金会委员 ,各位评选委员会委员 ,中国物理学会理事在接到通知后 ,请抓紧时间 ,组织推荐 .各省、市、自治区物理学会 ,分会、专业委员会 ,在接到通知后 ,请认真研究 ,对本地的学会和分会、专业委员会范围内够条件的候选对象 ,积极组织…     

光功率告警在光缆监测系统中的应用

介绍光缆检测系统中通过光功率检测采集告警信号的优点。     

对用最小公倍数法求周期的质疑及扩充

求函数周期尤其是求两个函数和(差)的周期(本文所提的周期均指最小正周期),是高中数学的难点,有些书刊资料介绍了一种最小公倍数法,即先求出两个函数各自的周期,然后求它们的最小公倍数即为两个函数和(或差)的周期.对此学习者有很多疑惑,如结论是否恒成立?两个函数可否不是三角     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。