最有效的相容剂是两嵌段还是多嵌段聚合物？

采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A／B／嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性．占总体积19％的A组份在体系中为分散相．模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为．两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积．从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生．     

关于推荐评选胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖的通知

一、2 0 0 2— 2 0 0 3年度胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖的推荐评选工作 ,完全依照经2 0 0 0年 2月 2 5日中国物理学会常务理事会修改的“中国物理学会胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖章程”进行 .二、依照章程 ,在本通知发出后 ,即开始本届五项物理奖的推荐和评选工作 .各位基金会委员 ,各位评选委员会委员 ,中国物理学会理事在接到通知后 ,请抓紧时间 ,组织推荐 .各省、市、自治区物理学会 ,分会、专业委员会 ,在接到通知后 ,请认真研究 ,对本地的学会和分会、专业委员会范围内够条件的候选对象 ,积极组织…     

光功率告警在光缆监测系统中的应用

介绍光缆检测系统中通过光功率检测采集告警信号的优点。     

对用最小公倍数法求周期的质疑及扩充

求函数周期尤其是求两个函数和(差)的周期(本文所提的周期均指最小正周期),是高中数学的难点,有些书刊资料介绍了一种最小公倍数法,即先求出两个函数各自的周期,然后求它们的最小公倍数即为两个函数和(或差)的周期.对此学习者有很多疑惑,如结论是否恒成立?两个函数可否不是三角     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

拟亚纯映射的充满圆

该文用较简明的方法讨论了平面上K 拟亚纯映射在\{lim[DD(X]r→∞[DD)]\}[TX-][SX(]S(r,f)[]lgr[SX)]=∞ 条件下及有限正级K 拟亚纯映射存在充满圆序列, 同时也证明了零级K 拟亚纯映射的最大型Borel方向及有限正级Borel方向上存在充满圆序列.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

管内材料高温放气性能的测试及应用研究

管内材料放气性能的优劣直接影响着整管的性能和寿命.本文简介了测试管内材料高温放气性能的原理、装置和方法.文中列举的几项应用实例表明,本项测试结果对产品质量控制、工艺技术改进和材料进厂检验及国产化攻关都具有指导意义.