首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   410篇
  免费   80篇
  国内免费   69篇
化学   101篇
晶体学   5篇
力学   14篇
综合类   25篇
数学   14篇
物理学   114篇
无线电   286篇
  2024年   4篇
  2023年   25篇
  2022年   36篇
  2021年   21篇
  2020年   17篇
  2019年   20篇
  2018年   16篇
  2017年   13篇
  2016年   11篇
  2015年   14篇
  2014年   22篇
  2013年   16篇
  2012年   18篇
  2011年   6篇
  2010年   13篇
  2009年   22篇
  2008年   22篇
  2007年   16篇
  2006年   12篇
  2005年   31篇
  2004年   17篇
  2003年   13篇
  2002年   9篇
  2001年   5篇
  2000年   34篇
  1999年   6篇
  1998年   7篇
  1997年   9篇
  1996年   6篇
  1995年   12篇
  1994年   7篇
  1993年   5篇
  1992年   8篇
  1991年   6篇
  1990年   7篇
  1989年   6篇
  1988年   4篇
  1987年   1篇
  1986年   6篇
  1985年   11篇
  1984年   6篇
  1983年   1篇
  1982年   7篇
  1981年   4篇
  1980年   4篇
  1977年   1篇
  1974年   1篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有559条查询结果,搜索用时 446 毫秒
31.
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.  相似文献   
32.
数学中的正负号表示的含义比较单一,但物理学中的正负号却有不同的含义,就物理学中涉及到的正负号的物理含义作一简单归纳.  相似文献   
33.
铭铭 《电子测试》2000,(7):99-99
具有良好的文本和图像打印质量,而且维护也比较简单,还附带有简单、易用的驱动软件,适合公司和家庭使用。  相似文献   
34.
操作简便而轻巧.又可以采用专用鱼眼镜.广角镜和远摄镜.加上Nikon在造相机领域的名气.CoolPix 800是家用数码相机的良好选择。  相似文献   
35.
Genius 50X光驱     
安装简便,性能良好,读盘能力强.具有非常好的性能价格比。  相似文献   
36.
HP DeskJet 610C     
铭铭 《电子测试》2000,(7):96-96
经济实惠,使用简单,可靠耐用,能够满足用户基本的彩色打印需求。我们这次测试HP DeskJet 610C  相似文献   
37.
铭翔真 《数字通信》2005,(21):102-104
2005年,索尼爱立信推出了全球第一款Walkman音乐手机W800c;摩托罗拉和苹果电脑公司推出了iTunes手机ROKR E1:诺基亚发布内置4GB硬盘的音乐手机N91……毫无疑问。今年手机界的主角是音乐手机。主角一出。众多中外手机厂商迅速推出各自的系列音乐手机来争取市场份额。叫喊着“MP3功能是标配”的口号。只是,这些手机都能称为“音乐手机”么?音乐手机究竟应该拥有什么样的标准?[编者按]  相似文献   
38.
<正>随着科学技术的迅猛发展,无人机在编队飞行中采用的纯方位无源定位是当前的研究热点之一[1,2]。该方法的应用,使得无人机在遂行编队飞行中很大程度上保持了电磁静默,极大减少电磁波信号的对外发射,一定程度上避免了外界的不必要干扰[3-5]。本文从数学背景出发,对无人机在遂行编队飞行中的纯方位无源定位技术进行研究。本文首先以纯方位无源定位为前提条件,建立二维平面上的极坐标系,并利用正弦定理、三角函数运算公式,确立了变量之间的函数关系,最终建立并求解出被动接收信号无人机的纯方位无源定位模型。  相似文献   
39.
水平成层介质中粘弹性波的计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种水平成层介质中弹性波粘弹性波计算的新方法,分别研究了线源和点源作用情况。该方法适用于各种粘弹性模型,数值计算简单,可模拟任意震源及所产生的各种体波,面波,数值结果表明具有很高的计算精度和计算效率。  相似文献   
40.
设计了一个新型内置多孔介质卷式制氢反应器,进行了天然气/空气预混气在当量比1.25~2.50,总流量60 L/min~120 L/min条件下的富燃实验,研究其自热重整制氢的燃烧特性。结果表明,富燃情况下可实现自维持燃烧,自稳定响应时间较快;反应器Swiss-roll结构的有效预热与中心多孔介质的蓄热,可提高反应温度至1 600 K以上,实现超绝热富燃制氢;固定流量条件下,甲烷的转化效率与能量利用率随着当量比的变化而改变。实验中,氢气生成率与能量利用率分别为30%~57%、50%~84%。流量为120 L/min,当量比为2.0时,尾气中H2浓度达22%,氢气生成率为57%,能量利用率为68%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号