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961.
本文用化学腐蚀法和光轴干涉图法研完了几种氧化物晶体的位错和亚晶界的分布,探讨了LiNbO_3晶体中的各种晶界以及TeO_2、PbMoO_4和Bi_(12)GeO_(20)晶体中的位错和亚晶界的分布对其光学性能的影响。 相似文献
962.
激光光声探测技术是以光声效应为基础的一种新型探测技术,近年来已发展成为弱吸收光谱测量、痕量气体分析、污染探测以及分子能量传递过程研究的重要手段。我们已研制了用于测量气体弱吸收的两种不同结构的光声池,即“H”型共振光声池和圆筒型共振光声池。前者采用自制的圆筒型电容传声器,后者采用商品电容传声器。我们已以选频CO_2连续激光和总压力为一个大气压的乙烯和氮混合物对光声池的基本性能做了测试和定标。文中详细介绍了这两种光声池的几何结构,激光光声探测实验装置以及池子的基本工作性能。给出了各个 相似文献
963.
我们用粒子鉴别系统测量了31.2MeV的α粒子在11,10B核上的(α,t)、(α,d)和(α,p)反应的角分布; 由出射粒子的能谱, 我们分别得到了剩余核处于基态和不同激发态的十个角分布. 从角分布的形状看, 在11B(α,t0)12Cg﹒s, 11B(α,d0)13Cg﹒s, 10B(α,d0)12Cg﹒s, 10B(α,d1)12C1st, 11B(α,p0)14Cg﹒s等反应中均有不同程度的后角上翘; 并且(α,t0)和(α,p0)的后角上翘的同位素效应似乎与(α, α)的反常散射的同位素效应相反. 相似文献
964.
965.
激光技术应用于半导体研究近年来一直引起了人们的重视,如离子注入杂质后的激光退火、外延层的生成等。我们研究了一个与以前不同的方法,在硅单晶表面直接涂一层有机胶体掺杂剂,然后用一个高功率红宝石脉冲激光直接辐照,形成一个浓度很高的掺杂层。 我们用一个<111>P型硅单晶片作为基板,其电阻率为10欧姆·厘米,经清洁处理后,表面涂上一层含有磷的有机胶体掺杂剂,然后用一台TEM_(oo)模、脉冲宽度20毫微米、输出能量约400毫焦耳的调Q红宝石激光器进行辐照,在硅单晶片上的光斑直径为0.5厘米,分别进行了单次和多次辐照,辐照后的硅单晶片,用HF进行腐蚀,测量了生成P-N结的伏安、反向特性和光电效应。生成的二极管具有良好的特性。同时我们在同类的硅单晶片上,用MASK 相似文献
966.
967.
预先在室外把溴装在自己控制的小安瓿或玻管中(如图),封口,带进教室。演示时,把安瓿头子截去,放入如下图的大试管里,加热,则溴蒸发。等棕色蒸气充满整个试管时,离火,打开夹子,将锑粉或其他金属粉 相似文献
968.
969.
利用△E-E望远镜及北京Q3D磁谱仪系统.在HI-13串列加速器提供的35MeVα离子轰击下,测量了56Fe(аd)58Co核反应的精细能谱和微分截面角分布.借助全微观DEBA理论分析,相应于核反应俘获的p-n核子对具有(lg9/2)2组态,观测到迄今所能看到的最高拉长态(lg9/2,lg9/2)_9.还对6.4 MeV高激发能级核反应截面的反常增强,而p-n核子对耦合成最小角动量的实验证据进行了讨论,并且确认了6.4MeV能级为非自然宇称态,自旋字称值Jл=1+. 相似文献
970.
从聚合物网络与液晶相互作用的机理出发,对于用聚合物网络控制液晶分子取向的方法进行了较为系统的研究。并根据液晶分子的光透射率计算公式,对实验结果进行了计算与分析。 相似文献