两种改进型中值滤波算法比较

重点介绍了综合型中值滤波算法以及一种自适应中值滤波算法．针对这两种改进型中值滤波算法,对含有高斯噪声,椒盐噪声,混合噪声以及高密度噪声图像进行去噪处理,比较综合型中值滤波算法（文中采用了十字型和交叉型）和自适应中值滤波算法对不同图像的去噪效果．     

MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究

本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度，低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究，着重讨论了影响介电常数的因素，制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。     

位置社交网络的潜在好友推荐模型研究

为了提高位置社交网络的服务便捷性和用户感受度,与位置相关的推荐服务越来越具有重要意义和应用需求.提出的潜在好友推荐模型主要是根据签到位置的相似度及好友相似度进行潜在用户推荐.通过用户的好友关系、签到特性及签到历史记录,计算用户在各个位置兴趣点的位置权重,再分别利用位置权重及好友关系计算用户的位置相似度和好友相似度,最后根据用户位置和好友关系的综合相似度进行潜在用户推荐.实验结果表明,提出的潜在好友推荐模型是切实有效的.     

Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5Ω·cm2,这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大。     

基于S3C44BOX嵌入式系统的变电所网络监控系统设计

针对我国部分煤矿变电所管理水平较低,提出了一种变电所网络监控系统的技术改造方案,阐述了基于S3C44BOX嵌入式技术的变电所网络监控系统的设计方法,并给出了该系统的结构图,主要用于变电所的集保护、测量、控制于一体的嵌入式系统。该系统充分利用了S3C4480X嵌入式处理器和uClinux操作系统的强大管理功能,性能稳定可靠、实时性好、通信速度快,应用前景广阔。     

豚鼠耳蜗毛细胞静纤毛连接桥的扫描电镜观察

耳蜗毛细胞的顶部有一束静纤毛，最长的静纤毛与盖膜接触，静纤毛的侧面纤毛之间有侧面连接桥相连，而每排静纤毛借这些连接桥互相连接。当声音传到内耳引起基底膜的振动时，盖膜首先与毛细胞的静纤毛接触。毛细胞的静纤毛受到刺激后发生倾斜，从而导致毛细胞的机械-电传导通道开放。外毛细胞静纤毛以阶梯状排列，纤毛之间借连接桥相互连接，参与机械传导、力的传递以及维持静纤毛束的正常形态结构。     

基于CVE的安全脆弱性数据库系统的扩展设计

针对现有脆弱性数据库存在的不足．文章通过引入CVE的数据兼容机制．按照管理脆弱性数据和服务安全工具并重的原则，提出并扩展设计了一类通用性更好的安全脆弱性数据库系统．可以支持集脆弱性探测、漏洞存储、安全评估于一体的多项应用。此外．对其管理维护和应用访问接口进行了讨论．最后给出了该库在已实现的分布式脆弱性扫描系统和安全评估系统中的具体应用．     

Modelsim与MATLAB/Simulink联合仿真技术研究及应用

由于MATLAB/Simulink本身就是一款优秀的系统建模和算法仿真工具,Modelsim是国内最为常用的HDL仿真工具,利用Link for modelsim使Modelsim与Simulink协同工作,使得算法设计和验证在同一款软件中完成。避免了不同开发环境下的兼容性问题,极大地简化了设计的复杂度,加快了开发进程。提出利用基于模型的设计方法,可以将算法与硬件实现联合起来,对于算法的开发以及后期硬件实现都会带来极大的方便。详细介绍了Modelsim与MATLAB/Simulink联合仿真的接口技术、模型的搭建,以及通过利用16 QAM调制与解调的应用实例来验证系统的正确性。     

高功率DPL光束质量研究

为了在高功率DPL中获取高光束质量输出激光，利用扭转模获取高光束质量种籽源的同时，进行了高重复频率下的热致及光致双折射效应的补偿、高功率二极管均匀泵浦聚光腔设计及相位共轭镜用于改善激光系统光束质量等特性研究。最终获得了重复频率40Hz、单脉冲能量大于400mJ、近衍射极限的高光束质量激光输出。这种方法对高功率激光系统的设计十分有用。     

可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备

利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C/Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C-SiC的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底上进行了GaN的外延生长,并研究了GaN材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C-SiC是一种适合于高质量无裂纹GaN外延生长的衬底或缓冲材料.