基于GaN/AlGaN高电子迁移率场效应晶体管的室温太赫兹探测器

本文主要论述一种带平板天线,基于GaN/AlGaN高电子迁移率场效应晶体管的室温太赫兹探测器。太赫兹辐射下,由于天线的作用会在栅下感应出平行沟道和垂直沟道的太赫兹电场,由此在源漏产生强烈依赖于栅压的直流光电流。尽管栅极远离源漏两端,平行沟道和垂直沟道的太赫兹电场依然很强。探测器可以用自混频理论很好的描述。在室温下,探测器的响应度和噪声等效功率分别为100 nW/sqrt（Hz）和 3 mA/W。探测器具有很高的响应速度,在5 KHz的调制下,光电流没有衰减。如果缩少栅极和源漏的距离将进一步提高探测灵敏度。     

基于双目视觉的六旋翼无人机立体匹配算法

针对六旋翼无人机双目视觉成像时,经双目融合后反馈的图像噪点过多,以及图像精度不够理想的问题,提出了一种在匹配过程中融入全局差错能量最小化的区域立体视觉匹配算法。由于视差的求解是立体匹配过程中最重要的环节,因此本文利用最小化差错能量矩阵求解最优视差的原理。通过提高立体视觉的视差精度,从而减少视觉融合过程中因数据问题产生的噪声干扰,最终提高了对场景信息三维重构的准确度。通过分别在室内外的仿真实验与真实环境重构实验,验证了本文提出的基于双目视觉的六旋翼无人机立体匹配算法的有效性与可靠性。     

滤波器增强的高灵敏度室温HEMT太赫兹探测器

制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明,当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时,太赫兹耦合天线的谐振性能恢复,室温下器件的响应度达到了1.05×10~3 V/W;测试带宽为1Hz时,器件的噪声等效功率达到了4.7×10~(-11) W。利用该探测器单元对不同材料进行了快速扫描成像,结果表明,该探测器单元具有较好的成像分辨率,且器件的响应速度优于商用的气动探测器的和热释电探测器的。     

一次透镜封装的单片集成LED光源北大核心CSCD

在使用LED作为照明光源的过程中,光场作为LED应用中的关键因素,一般使用二次光学系统进行调控。但是二次光学系统一般设计复杂、体积大、重量重,随着LED光学封装系统朝着小型化方向发展,二次光学系统的应用将会变得困难。结合软件仿真和实验验证探索了用于单片集成发光二极管(MI-LED)的一次光学透镜的光场调控功能。研究结果表明,仿真和实验LED光源的光场几乎重合一致,所设计的一次透镜将LED光源的光束角从120°调控到48°~72°范围内。与未加一次透镜的LED光源相比,加一次透镜的LED光源具有更高的光提取效率和更均匀的空间光色分布。     

高效液相色谱法测定共轭亚油酸甘油酯北大核心CSCD

共轭亚油酸甘油酯产品是以红花籽油为原料,通过共轭化反应将其中的亚油酸转化成共轭亚油酸[1-2],然后与甘油进行酯化反应,生成共轭亚油酸甘油酯[3-4]。卫生部2009年第12号公告批准其作为新资源食品,可以直接服用或者添加到脂肪、食用油和乳化脂肪制品中。目前,国内外对共轭亚油酸甘油酯的研究大多集中在制备、萃取和合成方面[5]。     

基于空间馈电的高功率波束扫描螺旋透射阵列天线设计

传统的透射式空馈阵列存在功率容量低的缺点,不能直接应用于高功率微波领域。现有的高功率空馈阵列布局不够灵活,波束扫描速度较慢,不能充分发挥空馈阵列在系统集成方面的优势。提出并设计了一种新型的采用空间馈电的螺旋辐射单元,并构建了一种透射式空馈螺旋阵列天线,通过控制单个螺旋旋转可以实现二维波束扫描,在设计上更加灵活,可根据实际应用需求调整阵列布局,符合高功率微波天线紧凑化、模块化的发展趋势。仿真设计了包含324个单元的透镜阵列,数值模拟结果表明,单元反射系数S11≤-20 dB,功率容量0.35 MW,阵列口径效率0.68,可在±45°范围内扫描,最大增益下降3 dB。     

一种低增益波动模拟矢量相加移相器的设计

提出了一种应用于模拟矢量相加移相器中增益控制模块的新型反馈电路,以减少增益波动。采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行了原理图与版图设计,可在2 ~3 GHz频率范围内工作,版图尺寸为0.7 mm×0.64 mm。仿真结果显示,在2.45 GHz频率处,该电路的插入损耗小于8 dB,输入1 dB压缩点P1dB为2 dBm,增益波动小于0.7 dB,优于目前已发表文献中的同类电路。     

Impact of oxygen in electrical properties and hot-carrier stress-induced degradation of GaN high electron mobility transistors

The role of the oxygen in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) before and after semi-on state stress was discussed. Comparing with the electrical characteristics of the devices in vacuum, air, and oxygen atmosphere, it is revealed that the oxygen has significant influence on the electric characteristics and the hot-carrier-stress-induced degradation of the device. Comparing with the situation in vacuum, the gate leakage increased an order of magnitude in oxygen and air atmosphere. Double gate structure was used to separate the barrier leakage and surface leakage of AlGaN/GaN HEMT it is found that surface leakage is the major influencing factor in gate leakage of SiN-passivated devices before and after semi-on state stress. During semi-on state stress in the oxygen atmosphere, the electric-field-driven oxidation process promoted the oxidation of the nitride layer, and the oxidation layer in the SiN/AlGaN interface leads to the decreasing of the surface leakage.     

基于(Q,r)补货策略的寄售库存模式研究

本文运用数学建模和数值分析的方法研究了基于(Q,r)补货策略的寄售库存模式中合同参数的优化问题。在该模式下,供应商确定Q、r值,并维持(z,Z)的库存水平,零售商对低于下限z或超过上限Z的库存收取罚金b。研究结果表明,零售商可以通过设置合理的罚金b来激励供应商选择合理的r和Q,使得最低的期望库存水平高于z,并且使成本达到最优。     

蝶形天线增强的HEMT室温太赫兹探测器

介绍了一种基于GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速、高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,HEMT源漏端产生直流光电流,并能被栅压灵敏地调控。探测器中新颖的蝶形天线设计使接收到的太赫兹电场得到显著增强,提高了探测器的响应度。通过测量探测器对不同偏振方向的太赫兹光的响应,有效验证了蝶形天线对太赫兹电场的增强作用。室温下,探测器的等效噪声功率约为5×10-10W/Hz21,平均响应度达42mA/W。实验结果表明,光电流的产生与二维电子气沟道的场效应特性和入射太赫兹波电场在电子沟道中的分布密切相关。自混频理论能很好地描述实验结果。