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射频微系统集成对芯片满足各种工程应用需求及产品化提出了更高的需求,也为通信-雷达-电子战一体化的综合射频系统理念构建提供有效支撑。本次设计的是一款基于CMOS工艺的P波段上变频发射芯片。CMOS工艺因其与数字电路的高集成度特性,以及量产后的相对低成本特性,在射频芯片领域受到越发广泛的关注。P波段一方面可以直接作为射频频率使用,另一方面也可以作为高频两次变频超外差收发机的中间频率,有较广泛的应用空间。本次设计除了追求综合指标性能,在可靠性、温度特性、静电防护等方面进行了充分考虑和专项附加设计,芯片的测试结果说明其性能充分满足应用需求。在-55℃到125℃全温范围内,具有约为10 dB适中的变频增益,并具有负温斜率,具备较高的各端口隔离度、线性度,覆盖-10 dBm到+10 dBm的本振功率适应性,在系统应用中具有较高的实用价值,验证了设计理论的正确性。 相似文献
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新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。 相似文献
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纳米固体材料的显微结构 总被引:8,自引:0,他引:8
本文综述了利用高分辨电子显微术研究以三种不同工艺制备的纳米固体材料显微结构的结果。 相似文献
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TEMPORAL CHARACTERISTICS OF DECAY OF LIGHT-INDUCED ABSORPTION IN PHOTOREFRACTIVE BaTiO3 CRYSTALS 下载免费PDF全文
We report the observations of the decay processes of light-induced absorption in one undoped and two Ce-doped BaTiO3 crystals. Two decay times were found, they had not a strong dependence on intensity in our experiment. We present a model with two different shallow trap centers to explain the experimental results. The theoretical and experimental resales agree well with each other. The light-induced absorption coefficients and decay times corresponding to the two shallow levels are also given. 相似文献
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材料的断裂,特别是实用结构材料的断裂,人们极为关注,并进行了大量的理论和实验研究,但就其机制来说,至今仍未能得到很好认识,主要原因在于对裂尖的结构及受载条件下的形变行为缺乏深入的了解。近年来,Ohr[1]等人利用TEM中的原位观察装置,研究了一些金属... 相似文献