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紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200~285nm的紫外光区几乎不透光。本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜。应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极。本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉。 相似文献
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构建了测定人血清中甲胎蛋白(AFP)的电化学免疫传感器。此免疫传感器的制备采用恒电位法在膨胀石墨(EG)电极表面合成聚吡咯(PPy),再以戊二醛(GA)作为交联剂,固定辣根过氧化酶标记的AFP抗体(HRP-anti-AFP)。此免疫传感器在含AFP的溶液中于35℃温育50 min后,再在传感器表面修饰普鲁士蓝(PB)作为电子介体,抗原抗体免疫结合产生的免疫复合物会导致HRP对PB催化氧化的效率降低。在优化条件下,AFP的浓度在0.01~300μg/L范围内呈线性关系,检出限为6.25 pg/mL(S/N=3)。这种基于PPy修饰EG电极的免疫传感器制备简单,灵敏度高且价格低廉,有望成为一次性电化学免疫传感器。 相似文献
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在玻碳电极表面滴加纳米金,通过纳米金(AuNPs)的生物相容性以固定人肠道病毒71型(EV71)抗体从而制备EV71电化学免疫传感器,该电化学免疫传感器可灵敏检测EV71。在pH 7.0的含有0.1mol·L-1氯化钾和5mmol·L-1 K3Fe(CN)6/K4Fe(CN)6的磷酸盐缓冲溶液中,通过循环伏安法考察了该免疫传感器的分析性能。当EV71的质量浓度在0.1~80μg·L-1范围内时,氧化还原探针[Fe(CN6)]3-/4-的氧化峰电流随EV71质量浓度的增大呈线性降低,检出限(3S/N)为0.025μg·L-1。对20μg·L-1的EV71抗原标准溶液测定5次,测定值的相对标准偏差为3.0%。以空白样品为基体进行加标回收试验,所得回收率在98.3%~100%之间。 相似文献
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掺杂有模板分子L-苯基乳酸的聚吡咯膜通过循环伏安法聚合到碳糊电极表面。在0.1 mol.L-1NaOH溶液中恒电位过氧化处理,将此修饰电极先在D-酪氨酸溶液中富集,在pH2.0的0.1 mol.L-1KCl溶液中溶出。然后将修饰电极再置于0.1 mol.L-1NaOH溶液过氧化处理,以洗脱残留在电极上的D-酪氨酸,按同样方法测试L-酪氨酸。酪氨酸对映体在经过掺杂和过氧化洗脱的聚吡咯电极表面的溶出电位比裸碳糊电极的溶出电位向负方向移动了大约200 mV。在最优化的工作条件下,L-酪氨酸与D-酪氨酸溶出峰电流的比值可以达到2.18。 相似文献
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以膨胀石墨作为基体电极,采用循环伏安(CV)法制备了聚对苯二酚(PHQ)修饰膨胀石墨电极。电化学和扫描电子显微镜(SEM)的分析结果均表明:在0.01mol/L对苯二酚(HQ,pH2.0)中,以0.1mol/LNaCl为支持电解质,可通过CV法成功制备电化学性能良好的PHQ修饰膨胀石墨电极,PHQ的电化学聚合机理随聚合体系pH值的变化而不同。当pH≥12.0时,PHQ不能在膨胀石墨表面发生电化学聚合。PHQ在pH2.0~12.0范围内都具有电化学活性,其随着pH值的增大而降低。 相似文献