一种广义精细积分法

提出了求解非齐次动力方程特解的一种精细数值积分法,该方法与通解 精细积分法具有相同精度. 首先选取一个积分形式的非齐次方程特解,将积分区域划分为 2$^{N}$份,并对之进行精细的数值积分;然后针对载荷为多项式、指数函数及三角函数的情 况,将积分求和转化为一个递推过程,按此只需$n$次矩阵乘法就能计算出积分和,从而得到 非齐次方程的特解. 该方法的优点是能与通解的精细积分过程有机地结合起来,具有极高的 精度和效率,同时还具有较广泛的适用范围. 算例结果证明了该方法的有效性.     

降低输电线路铁塔接地电阻的技术研究与应用

为优化电力企业输电线路铁塔的常规运行环境,需要有效分析降低输电线路铁塔接地电阻的相关技术内容.文中简单阐述了当前输电线路铁塔运行的基本现状、接地技术应用要点,再结合项目研究了其装置降阻优化方案及材料选择应用.     

266nm激光作用下1,3-二溴苯的多光子电离和解离研究

在波长为266 nm的激光作用下对1,3-二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究,获得了溴苯分子的MPIF-TOF质谱,并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系.用这些实验结果分析1,2-二溴苯分子的多光子电离解离机理,得出1,3-二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离-中性碎片电离C6H 4,C5H 3,C4H 2,C3H 等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的,并给出了可能的解离通道.     

贵阳腐霉(Pythium guiyangense Su)菌丝体及无性繁殖阶段的扫描电镜形态学观察

本研究通过快速制样方法制备标本,并用扫描电镜观察,首次对具有灭蚊作用的腐霉属新种一贵阳腐霉的茵丝及其无性繁殖阶段的外部形态和表面结构进行研究.观察发现茵丝呈索状,表面粗糙;孢子囊壁有厚实感.表面粗糙,有微细皱折、独特纹饰和绒毛,一些孢子囊可见1个～4个凹陷;游动孢子表面具纹饰,凸面较光滑,凹面粗糙,体表也具有绒毛状突起及凹陷.     

地铁模型试验测量与火灾模拟

本文主要在缩尺度的地铁模型中进行研究,得出楼梯口的风速分布以及隧道门开启不同的面积对楼梯口风速的影响.测出满足<地铁设计规范>要求的楼梯口处风速不小于1.5m/s的工况条件,并在此工况下进行了现场火灾实验,证明了此工况能够有效地排除烟气,防止烟气向上层蔓延.试验所测数据都通过拉依达准则进行验证,数据可靠.为进一步的地铁火灾试验奠定基础.     

用多官能链转移剂通过普通自由基聚合制备两亲性杂臂星形聚合物

以偶氮二异丁腈为引发剂,四(3-巯基丙酸季戊四醇四酯)(PETMP)为链转移剂进行甲基丙烯酸甲酯(MMA)的自由基聚合,得到了含有残余巯基的聚甲基丙烯酸甲酯大分子链转移剂(HS-PMMA).然后,以HS-PMMA作为大分子链转移剂进行甲基丙烯酸叔丁酯(tBMA)的自由基聚合,合成了杂臂星形聚合物.最后,将所得杂臂星形聚合物的PtBMA链段水解得到了两亲性杂臂星形聚合物.     

用于钴互连CMP抛光液的研究进展

当集成电路技术节点进入10 nm及以下，传统的铜(Cu)互连材料面临着阻容(RC)延迟高、电子散射强等问题，钴(Co)作为制程工艺中的新材料，以其更低的电阻率、更高的硬度和更低的平均电子自由程，成为了替代Cu作为互连材料的优选金属。化学机械抛光(CMP)是去除Co布线层多余材料，实现全局平坦化的唯一技术。而抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一，其性能的好坏直接决定了晶圆的抛光效果和良品率。回顾了近年来钴互连金属材料的各种新型抛光液的国内外研究进展，讨论了不同化学添加剂对Co材料的去除速率、腐蚀抑制和表面质量的影响。同时总结了钴互连CMP抛光液面临的挑战及发展方向。     

荧光可视化技术在食品分析中的应用进展

介绍了常见的荧光可视化传感器(比率、纸基、分子印迹荧光传感器),荧光可视化传感机制(荧光共振能量转移、内滤效应、光诱导电子转移、聚集诱导猝灭、聚集性诱导发射、分子内电荷转移、金属-配体电荷转移等)及其判定方法，综述了量子点(普通量子点和生物质量子点)、有机荧光物质和金属荧光纳米团簇等发光物质作为荧光可视化探针在食品分析中的应用，并对其发展前景进行了展望(引用文献69篇)。     

酸处理再生NiB非晶态合金催化剂

近年来,非晶态合金由于在催化加氢反应中表现出优良的催化活性和选择性而受到广泛关注[1,2].其中,化学还原法制备的超细N iB非晶态合金具有很高的催化活性,但该类催化剂易于晶化和氧化失活,限制了其工业应用[3,4].因此,提高N iB非晶态合金的稳定性和抗氧化性引起广泛关注.目前,     

晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究

InAs/GaSb超晶格是量子级联激光器(quantum cascade lase,QCL)和带间级联激光器(interband cascade lasers,ICL)结构中重要的组成,特别是作为ICL的上下超晶格波导层是由大量的超薄外延层(纳米量级)交替生长而成,细微的晶格失配便会直接导致材料晶体质量变差,而且每层的厚度和组分变化会强烈影响材料结构性能.论文研究验证了InAs/GaSb超晶格材料生长的最佳温度约在420℃.通过在衬底旋转的情况下生长40周期短周期GaSb/AlSb和InAs/GaSb超晶格,并采用XRD测量拟合获得了GaSb和AlSb层厚分别为5.448 nm和3.921 nm,以及InAs和GaSb层厚分别为8.998 nm和13.77 nm,误差在10%以内,获得了InAs/AlSb超晶格的生长最优条件.在GaSb衬底上生长晶格匹配的40周期的InAs/AlSb超晶格波导层,充分考虑飘逸As注入对InAs/AlSb超晶格平均晶格常数的影响,在固定SOAK时间为3 s的条件下,通过变化As压为1.7×10^-6 mbar来调整个超晶格的平均晶格常...