透视喷墨打印机墨水

墨水是喷墨打印机的一种主要耗材。喷墨打印机用墨水不同于一般的书写墨水,它要求有很高的热稳定性和化学稳定性。要求粘度适中,具有浓度高、分子量小、流动性好、图像层次分明等性能。从喷墨打印机的组成看,主要材料是溶剂和着色剂,还要添加抗氧化剂、粘度调节剂等。溶剂在喷墨打印机墨水中所占的比重最大,直接影响墨水的物理和化学性质以及打印质量、稳定性等。但喷墨打印机的墨水种类是按照墨水中的着色剂分类的。着色剂的性能直接影响打印图像的色彩和色调,其自身的颜色、混合性能、溶解性、酸碱性、颗粒度大小尤为重要。彩色喷墨打印主要采用混色喷墨技术中的减色混色法,采用黄、蓝、洋红等补色着色剂。由于采用减色混色法生成的黑色看起来不够黑,为了获得纯黑色以提高打印质量,还增添了黑色。由各     

自适应比例因子模糊控制器在异步电动机调速系统中的应用

为了降低转子电阻变化对异步电动机矢量控制系统性能的影响，本文把自适应比例因子模糊控制器应用到了矢量控制系统中。介绍了自适应比例因子模糊控制方法的綦本原理，给出了使用自适应比例因子模糊控制器的异步电动机矢量控制系统的结构框图，对主模糊控制器和辅助模糊控制器进行了设计。仿真实验结果表明，采用这种控制方法的调速系统不仅具有优良的动态性能，而且对转子电阻变化具有很强的鲁棒性。     

Effects of Dual-Electrode Biasing on Er in a Toroidal Plasma

Two externally biased electrodes were inserted into the plasma on the KT-5C tokamak to test the effects on modifying the radial electric field Er, other than single biasing. Using various combinations of biasing voltage,the influences of double biasing are compared with the single biasing. It turns out that the effect of dual-biasing is also effective as a single one, but the outer electrode seems to be shielded by the inner one and show less influence. The results clearly show that the radial electric field Er changed by external biasing is intrinsically an effect localized at the edge of the plasma, which is caused by the electrode induced radial current; and dualelectrode biasing using the method similar to the single biasing seems not to be able to increase more distinctly the peaking effect on Er than the single biasing.     

能进行单分子层生长的相位控制外延

自从分子束外延问世以来,电子衍射仪就是该技术的一种必不可少的仪器,用它来观测生长过程中的结晶情况及表面结构变化。随着MBE技术的发展及研究工作的深入,电子衍射仪的用途也在不断扩展:如观测衍射象的变化探讨晶体的生长机理;利用衍射象随温度的变化来辅助测量衬底温度;通过观测衍射象的振动来控制生长厚度达到分子层的精度等等。本文介绍的“相位控制外延技术”被认为是这些扩展的应用中最有吸引力的。特译出此文,以飨读者。     

娱乐新视听唱K新选择实战OS框架投影幕

这天，李总突然要求我：把1号到20号房间的装修改一改，将液晶换成投影吧！     

对双／多基地雷达使用前景的评述

对双／多基地雷达使用前景的一些主要问题作了分析，介绍了国外的新研究动态，提出了笔者的看法。     

基于运动矢量插值的运动补偿算法

本文首先研究了相关性约束运动估值算法，然后提出了基于运动矢量插值的运动估值算法，实验表明新算法的预测性能明显一比传统块匹配运动估值算法（ＢＭＡ）好，而且预测图象的主观质量得到显著改善。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.