InGaN与采用InGaN作为背势垒的双异质结的生长

我们研究了采用MOCVD生长了InGaN与InGaN和AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结。我们发现InGaN的质量会严重影响AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结的特性。通过优化生长压力与生长温度得到高结晶质量的InGaN薄膜。由于InGaN的极化方向与AlGaN的相反,使得GaN层与InGaN层之间出现了一个高势垒,提高了载流子的限域性并且降低了缓冲层的漏电。采用InGaN作为背势垒的双异质结的DIBL仅为1.5 mV/V。当VDS= 10 V时,测量得到的关态漏电流为2.6 µA/mm。     

原子吸收法间接测定石膏矿中氯离子

采用原子吸收法间接测定石膏矿中的氯离子.针对原子吸收法中S2–、Br–、I–共存离子干扰、微量氯离子中氯化银溶解度干扰及氯化银胶体沉淀难题等进行了探讨.用过氧化氢加热法加去除S2–、Br–、I–共存离子干扰;用氯化银溶度积来矫正溶液中的氯离子,减小了微量氯离子的检测误差;石膏矿中存在的大量硫酸钙可做为絮凝剂.银离子的质...     

离子色谱法测定1,3,5-三(3-二甲基氨丙基)六氢三嗪含量

建立了环状有机多胺类化合物1,3,5-三(3-二甲基氨丙基)六氢三嗪(PC41)的离子色谱测定法。研究表明,采用Ionpac CS12A阳离子交换柱,抑制电导模式,以25 mmol/L硫酸溶液为淋洗液,可对1,3,5-三(3-二甲基氨丙基)六氢三嗪进行定量测定。多胺类化合物在抑制电导下为非线性响应,故采用二次抛物线方法定量,线性范围为0~17.84 mg/L,线性方程为y=–0.001 8x2+0.231 3x+0.011 5,相关系数为0.999 8,测量结果的相对标准偏差小于1%(n=5),3水平加标回收率为99.3%~100.2%。该方法操作简单,测定结果准确可靠,可用于测定合成聚亚胺酯原料1,3,5-三(3-二甲基氨丙基)六氢三嗪的含量。     

离子色谱法测定硫酸胍丁胺含量

胍丁胺是精氨酸经细胞线粒体膜上的精氨酸脱羧酶作用转化而来的。文献[1]报道从牛脑中分离到一个具有可乐定替代物质(CDS)特性的分子并用质谱法确定是胍丁胺,以后证实胍丁胺几乎分布于大鼠体内所有组织。胍丁胺是一种多胺,但相较于其他多胺,其生物学功能要复杂得多。胍丁胺的测定方法有高效液相色谱-质谱法(HPLC-MS)[1]和高效液相色谱法(HPLC)[2]等,但     

基于N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌的黄绿色有机电致发光器件的性能

通过用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌((E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl) quinolato-zinc, CzHQZn)作为受主, 制备了结构为ITO/2T-NATA (30 nm)/CBP: 6%Ir(ppy)3:wCzHQZn(20 nm)/Alq3(50 nm)/LiF/Al(ITO: indium-tin oxide, 2T-NATA: 4,4',4'-{N,N-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, CBP: 4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl, Ir(ppy)3: factris (2-phenylpyridine) iridium, Alq3: tris(8-quinolinolato) aluminum; w 是CzHQZn 的质量分数)的黄绿色有机电致发光器件(OLEDs). 研究了掺杂体系在不同掺杂浓度(w=5%、10%、12%、15%)时的电致发光(EL)特性. 结果表明, CzHQZn 掺杂浓度为10%的器件在11 V 电压下实现了黄绿光发射, 色坐标为(0.4045, 0.5113), 最大发光亮度为16110 cd·m-2; 而在7 V电压下的最大发光效率为2.19 cd·A-1, 最大外量子效率为0.775%.     

NaCl稀溶液结晶的分形形态研究

通过光学显微镜观察NaCl稀溶液在玻璃基底上快速蒸发结晶形成了完整的立方晶体、DLA凝聚体和形状复杂的凹凸状结晶3种形貌.对复杂的凹凸状结晶进行分析,认为不完整的NaCl小晶粒构成了一个个微小的生成元,以随机Koch曲线的生长方式自组织地顺次相互连接起来,指出此类结晶符合随机Koch曲线,是远离平衡态下的自组织现象.通过改变观测尺度求维数的方法,得到分形维数是1.15±0.06,与Koch曲线相近.     

HFC技术在宽带接入中的应用

阐述了基于HFC(混合光纤同轴电缆)技术的智能小区的宽带接入方式的基本原理,分析了HFC技术需解决的问题、功能和实现方法,介绍了HFC的组网方案,并以南京某小区HFC宽带接入的实例,说明了基于HFC技术的宽带接入在智能小区中的应用.     

基于BP.网络的工程投资估算模型

选择δ学习规则、有监督学习方式的BP神经网络模型作为本次应用的模型.对30个案例进行分析研究,挖掘有用的数据,找出影响工程造价的主要特征,并对这些特征按其对应分类定性处理,模拟从定性分类处理后的工程特征到工程造价的非线性映射关系.模型估算误差率在±10%以内,满足投资估算阶段的精度要求.     

The etching of a-plane GaN epilayers grown by metal--organic chemical vapour deposition

Morphology of nonpolar (1120) a-plane GaN epilayers on r-plane (1102) sapphire substrate grown by low-pressure metal-organic vapour deposition was investigated after KOH solution etching. Many micron-and nano-meter columns on the a-plane GaN surface were observed by scanning electron microscopy. An etching mechanism model is proposed to interpret the origin of the peculiar etching morphology. The basal stacking fault in the a-plane GaN plays a very important role in the etching process.     

多重频解模糊中降低频道量化误差的新方法

针对工程应用中采用重频参差法解脉冲多普勒雷达的速度模糊存在频道量化误差问题,提出了一种提高频率估计精度的综合方法。该方法首先将目标所在距离单元相参积累后的频域数据,通过傅里叶反变换为原始数据,然后补零FFT,在此基础上运用二次函数拟合,进一步提高频率估计精度。它有效结合了补零FFT和二次函数拟合两种方法的优点,弥补了二者的不足。仿真结果表明,该方法在运算量不大的情况下,即可很好地降低频道量化误差。