GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特性的研究

本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的条件下,自生氧化膜的厚度可达1μm以上,其生长速率大约为1000A/hr。同时也开展了对氧化膜的化学稳定性、光学、电学特性以及对杂质Zn的掩蔽扩散特性的初步研究,并利用平面工艺试制了具有变容管特性的样管。     

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．     

XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束后一次退火却引入了压应力。     

ZnO薄膜的XPS价带谱研究

用MOCVD方法在Al₂O₃衬底c面生长ZnO薄膜,用XPS对薄膜进行了测量.结果显示,与O_1s和Zn_2p态相比,Zn_3d态有更大的化学位移,可用于更有效地分析ZnO薄膜变化;随着Zn_3d+Zn_4s态和Zn_3d态电子与O_2p态电子耦合的增强,Zn_3d态电子的结合能变大;二乙基锌(DEZn)源温是影响ZnO成键的重要因素.     

室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．     

液态源PECVD淀积SiO_2和PSG膜用于硅大功率晶体管台面钝化的探索

本工作首次采用液态源在200℃低温下PECVD淀积SiO_2和PSG膜,用于3DD系列功率晶体管的台面钝化.通过台面钝化和表面局部剥离钝化膜的工艺,晶体管的电学特性明显地变好,较大幅度地提高了烧结工艺的成品率,并对钝化过程中出现的问题进行了理论分析.钝化膜具有较好地抗Na~+、Cu~(++)离子沾污的能力,全面地通过了例行实验的考核,这种新工艺必将对晶体管生产效率和稳定性产生可观的影响.