ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1:1.01-1:1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了数据拟合.利用荧光光谱分析了薄膜的光致发光,结果表明在波长为395nm的激发光下,487nm的发射峰对应着闪锌矿型ZnSe的带边发射,同时也观测到薄膜中ZnSe晶体增强的自由激子发射及伴随着ZnSe晶体缺陷而产生的辐射发光.     

Raman spectra of undoped and uranium doped CaF_2 single crystals

Raman scattering experiments for nominally pure and uranium doped CaF2 single crystals were presented. In all crystals, the Raman active T2g vibration mode of CaF2 was observed, whose frequency shift and full-width at half-maximum (FWHM) broadening correspond well with defects and impurities in CaF2 lattice. Additional Raman peaks develop in nominally pure CaF2 with high etch pits density and U6+:CaF2 crystals. Part of additional Raman peaks in the experimental results, which are assumed due to vibration modes from F- interstitials and vacancies, are in well agreement with the theoretical predications by employing the Green-function formulation.     

碳纳米管–聚吡咯复合材料在超电容器中的应用

在碳纳米管(CNT)基体上用化学聚合或电化学聚合方法沉积聚吡咯(PPy)制得复合材料。再以此类复合材料为活性物质制作电极,组装成原型超电容器。并对其进行了循环伏安、恒电流充放电等电化学测试。用此类复合材料制成的原型超电容器的比容量(23.6 F/g)与纯碳纳米管(2.3 F/g)或纯聚吡咯(3.9 F/g)制成的原型电容器比较,发现复合电极电容器比容量的提高不是简单的加和效应,而是协同效应所致。     

价值工程在电子产品设计,生产中的应用

本文介绍了价值了工程在ＧＦＦＸ－１００／３０小型氙灯整流器的设计和生产中的应用。通过对主要零部件的价值系数的计算和功能分析，对产品的结构进行改进，达到功能不变，降低成本提高经济效益的目的。     

二十一世纪的历史

20世纪即将过去，21世纪已经近在眼前，用不了几年我们的学生将要把汽车和收音机，核电站和计算机。量子力学和相对论，世界大战与石油危机等看作“前一世纪的遗迹”，那些事情使得他们的前辈一直十分劳神和忧虑。20世纪是丑陋还是美好?现代科学与高新技术     

四能级系统中真空感应相干导致的无反转增益和有反转增益

当一个原子系统中存在着两个靠得足够近的能级，以至于在同一个真空辐射场的作用下，这两个能级上的原子会弛豫到同一个较低的能级时，在这两个不同的自发辐射通道之间会产生干涉效应，我们称之为真空感应的干涉或相干效应．值得注意的是，这种相干效应的存在还要求相应的两个偶极矩阵元是非正交的，否则反映该效应的系数为零．     

用小角度Bhabha事例谱形分析方法确定北京谱仪亮度

介绍了在τ轻子质量中用小角度Bhabha事例谱形分析确定亮度的方法,并给出部分分析结果.     

饮料灌装机的单片机控制系统的研制

本文主要叙述了以PHILIPS8位单片机89C51为核心的灌装机控制系统的设计，介绍了系统的软、硬件设计的方法，文中给出了系统的硬件原理框图，软件流程图，整个设计简明、清晰。     

用被动调Q激光器腔外倍频检验KTP的切割质量

以KTPⅡ类角度匹配倍频1064nm激光的相位允许角为例,从理论上分析了它的倍频效率与相位允许角的关系,在实验上通过被动调Q激光器腔外倍频对其进行了检验,结果表明,这种方法可以精确地分析倍频晶体的切割角度偏差,并可推广到LBO、BBO等其它非线性晶体上.     

NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较

利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在＋5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于⁶⁰Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和⁶⁰Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷.