高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

室内覆盖与WLAN集成应用的实现方式

中国移动通过WLAN进行热点覆盖,可启动笔记本电脑/PDA用户对中国移动无线数据业务的使用,弥补GPRS在热点地区提供高速数据业务能力不足的缺点,从而切入宽带无线数据市场,为高端用户提供更优质的差异化服务,提升中国移动通信的品牌价值。提供WLAN业务的主要应用场所包括以下几大类:* 大楼内部布线以及楼宇之间的通信,主要是替代专线和有线网络布线,快速提供业务;* 医疗、餐饮、零售店、仓储管理、监视系统等,提供信息传递服务;* 机场、车站、饭店、会议中心、展览馆、娱乐中心、购物中心等流动人员密集的场所,为客户提供接入服务。室内…     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

武装直升机综合火／飞系统的组合智能控制

本文讨论了武装直升机综合火／飞系统的组合智能控制。讨论了这种系统的设计方法，并且针对某型直升机用数字仿真证明了这种系统的特点和良好的效果。     

三元相图及坐标变换的单纯形优化法测定铜（Ⅱ）—邻菲Luo啉—铬天…

本文用三元相图及坐标变换的单纯优化法安排实验，测定铜（Ⅱ）－邻菲Ｌｕｏ啉（Ｐｈｅｎ）－铬天菁Ｓ（ＣＡＳ）三元络合物组成。通过两种方法，不同算什么所得结果一致，络合比为３：３：２。     

匀速运动的电偶极子的电场和磁场分布

本文通过对电偶极子电磁势的分析和相对论下电磁场在不同惯性系中的协变分布，计算了作匀速直线运动的电偶极子的电场和磁场的空间分布．     

用回归正交设计建立油田堵水增产模型

在油田注水开发过程中，油井产水率的不断上升严重影响了油田的原油产量。因此油田进行堵水是油田高产稳产的一项重要工作。本文用回归正交设计方法建立油田区块堵水增产模型，从而为油田区块堵水最优化方案的目标函数的确立奠定了基础。     

质疑传统互联网流量监测法

互联网自从诞生以来,就号称能够比其他任何一种传统媒体都要更为精准地接触到用户。网站的拥有者们可以自豪地拿出网站到达率、网页浏览量等各类让人眼花     

一种不等带宽光学梳状滤波器

提出了一种新型—Michelson—三面镜FabryPerot型50GHz不等带宽光学梳状滤波器设计方案,分析和模拟表明:该器件将一路信道间隔为50GHz的输入信号分离成信道间隔为100GHz的奇偶两路输出信号,其中在3dB处,奇数信道带宽大于30GHz用于10Gb/s传输,偶数信道带宽大于60GHz用于40Gb/s传输对于将来的40Gb/s系统,该器件具有优势.     

关于NA情况下重对数律收敛速度的一般形式

研究了NA序列重对数律收敛速度的一般形式，把Davis和Gut的结果推广到了NA的情形，并使梁汉营等人关于对数律一个结果成为特例；作为推论，得到了关于NA序列重对数律收敛速度的充分条件．