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101.
分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式,并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式.
关键词:
Goos-H?nchen位移
左手介质
单轴各向异性
临界角 相似文献
102.
103.
104.
分子筛修饰电极中内电子传输机理的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用电化学方法聚合方法筛孔道内的苯胺,以聚苯胺分子筛修饰电极为模型研究了分子筛修饰电极的内电子传输机理,NaY分子筛的离子交换点位被苯胺修饰后,通过电聚合制得聚苯胺分子筛修饰电极(Pan^+Y-ZME),该电极通过聚苯胺链自身的电子跳跃来实现电子传输,且只有通过阴极富集后对溶液中Cd^2+才有响应,并能用于测定抗坏血酸。 相似文献
105.
星敏感器遮光罩的设计与杂散光分析 总被引:1,自引:0,他引:1
杂散光抑制是提高星敏感器精度的重要手段,遮光罩的设计是抑制杂散光的主要途径.对星敏感器遮光罩进行设计,通过SolidWorks软件建模,绘制出遮光罩结构,将得到的结构导入TracePro软件中进行杂散光分析.设定材料表面的双向散射分布函数与光线追迹数目,在不同方位角度对1°~75°之间共16个离轴角度进行了光线追迹,得到系统的PST曲线.结果表明,和改进前的结构相比,PST值降低了一个数量级,且系统的杂散光抑制能力在离轴角30°时达到10-9量级.遮光罩内设计竖直挡光环结构有很好的杂散光抑制作用,使系统杂散光抑制水平得到较大的提高. 相似文献
106.
107.
白色荧光粉NaGd(MoO4)2:Dy3+,Eu3+的水热合成及发光性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用谷氨酸辅助水热法合成了八面体形NaGd(MoO4)2:Dy3+,Eu3+白色荧光粉.X射线衍射结果表明,合成的样品为四方晶系的NaGd(MoO4)2纯相.扫描电子显微镜照片显示所制备的粒子为八面体形,各边长约为2μm.荧光光谱结果表明,在NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,yEu3+(y=0,0.5%,0.6%,0.7%,0.8%,0.9%,1.0%)样品中,随着Eu3+掺入量的增加,Dy3+的发射峰逐渐减弱,而Eu3+的发射峰逐渐增强,说明Dy3+-Eu3+之间存在能量传递.通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量y=0.9%时,荧光粉的色坐标(0.338,0.281)与标准的白光色坐标(0.33,0.33)接近,表明NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,0.9%Eu3+是很好的近紫外光激发下的白色荧光粉. 相似文献
108.
109.
以固体硅胶为硅源考察了六亚甲基亚胺(HMI)和环己胺(CHA)二元胺模板剂对分子筛合成产物的影响. XRD测试结果表明,当晶化温度为160 ℃,晶化时间为84 h, SiO2/Al2O3摩尔比为30, Na2O∶H2O∶(HMI+CHA)∶SiO2摩尔比为0.11∶45∶0.35∶1时,即使HMI仅占二元胺模板剂的25%(摩尔分数),所得分子筛仍为MCM-22; 其它条件相同时,以单纯CHA为模板剂得到的是ZSM-35分子筛. 用13C MAS NMR研究了HMI和CHA的状态,结果表明在单一HMI合成体系中,HMI既起MCM-22结构导向作用,又经质子化后起稳定骨架的作用; 而在HMI和CHA二元胺体系中,HMI主要起结构导向作用,CHA则填充在MCM-22层间十元环中稳定骨架. 相似文献
110.
文章研究了CMOS器件^60Coγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在100℃温度场下的退火效应。实验发现,辐照后,器件在加温和加偏条件下,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电的退火,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火,但在100℃温度场中,两种偏置条件都有利于p沟器件氧化物陷阱电荷和界面的退火。 相似文献