在聚焦离子束系统中进行集成电路显微探测的应用实例研究

在模拟集成电路的设计开发中，需要对集成电路芯片内部信号的时序和电平进行精确的测量。这在过去是以光学显微镜和微型机械探针相结合的机械显微探测法来实现的，但是，对于当今半导体技术下的集成电路内部微小线宽互连几何结构，光学显微镜已无法提供足够的图像分辨率且无法保证探针的准确放置，面更小几何尺寸半导体工艺的进一步发展却要求探测工具具有越来越高的探针放置精度和空间分辨率，应用微型机械探针和聚焦离子束扫描离子显微镜相结合的新的机械探测技术，已经在这一领域进行了一些实例研究。本文重点阐述在一模数混合信号器件设计开发过程中，从芯片内部调试获取一人需10纳秒延时的600mV模拟电压跃升信号的应用实例研究。     

从一道习题谈应用高斯公式须注意的问题

针对一道典型的曲面积分习题,分析并给出其求解过程,从中讨论应用高斯公式时应该注意的问题和解此类问题的方法与技巧.     

中红外玻璃材料发展及前沿应用

中波红外玻璃综合了优良的透红外性能、大尺寸制备特性和低成本,是很多重要军用系统的关键窗口材料之一.红外玻璃的高性能、大尺寸化制备面临重要挑战,同时红外技术和光电对抗技术的发展对红外窗口的雷达隐身性能也提出了很高的要求.综述了国内外中红外玻璃研究发展现状,着重介绍了中国科学院上海光学精密机械研究所在红外玻璃及其高性能化研...     

全息柱面光栅的设计及其在立体显示技术的应用

根据傅里叶全息光学的基本原理与柱面光栅的分光特性,提出了用马赫-曾德尔光路制作柱面光栅的方法,用其实现图像的立体化.全息柱面光栅是全息术与图像立体化技术的有机结合,制作方法简单,具有一定的实用价值.     

基于耦合本振阵列的旁瓣抑制技术研究

以耦合振荡器阵列作为本振阵列,提出具有旁瓣抑制的接收波束天线阵列扩展结构,推导了其接收波束形成的方向图函数,分析了该接收波束旁瓣抑制技术的可行性,并通过计算机仿真验证了旁瓣抑制技术的理论分析结果,为耦合振荡器阵列应用于天线接收的干扰抑制技术提供了理论基础。     

抓住信息化快速发展的契机,大力创新商业模式,推进宽带互联网发展方式的转变

<正>互联网是最具创新活力和变革精神的产业,近20年来人类社会几乎所有的创新都和互联网有关,其对产业升级和经济结构调整的重要意义已成为社会普遍共识。当前全球主流国家均已把宽带发展提升到国家战略层面,美国、德国、日本、韩国等都在近两年提出了旨在加速推动宽带发展的"国家宽带战略",我国"十二五规划"也把以宽带为重点的新一代信息技术作为七大战略性新兴产业之一。面临产业发展的历史性机遇,如何正确把握宽带互联网技术、业务、商业模式等方面的演进趋势,如何聚焦客户需求实现创新和转型是行业普遍关注的问题。     

Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC

A P-layer can be formed on a SiC wafer surface by using multiple Al ion implantations and post-implantation annealing in a low pressure CVD reactor.The Al depth profile was almost box shaped with a height of 1×10¹⁹cm^-3 and a depth of 550 nm.Three different annealing processes were developed to protect the wafer surface.Variations in RMS roughness have been measured and compared with each other.The implanted SiC, annealed with a carbon cap,maintains a high-quality surface with an RMS roughness as low as 3.8 nm.Macrosteps and terraces were found in the SiC surface,which annealed by the other two processes（protect in Ar/protect with SiC capped wafer in Ar）.The RMS roughness is 12.2 nm and 6.6 nm,respectively.     

Multi-wafer 3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor

We report the latest results of the 3C-SiC layer growth on Si(100)substrates by employing a novel home-made horizontal hot wall low pressure chemical vapour deposition(HWLPCVD)system with a rotating susceptor that was designed to support up to three 50 mm-diameter wafers.3C-SiC film properties of the intrawafer and the wafer-to-wafer,including crystalline morphologies and electronics,are characterized systematically. Intra-wafer layer thickness and sheet resistance uniformity(σ/mean)of～3.40%and～5.37%have been achieved in the 3×50 mm configuration.Within a run,the deviations of wafer-to-wafer thickness and sheet resistance are less than 4%and 4.24%,respectively.     

阴极为半透明Ce/Au的有机发光二极管

在p型硅基底的阳极上制得的顶出光有机发光器件(TOLEDs)采用Ce(xnm)/Au(15nm)(x:4～16)沉积层作为半透明阴极材料.当有机层NPB(60 nm)/Alq3(60 nm)保持不变时,研究了Ce层厚度对透光度和器件性能的影响.结果表明:沉积层为Ce(11nm)/Au(15nm)的阴极透光度达到46％,...     

基于模糊神经网络的多机多目标空战决策

提出了一种基于模糊神经网络的多机协同多目标空战决策的方法.为简单起见且在不影响战局的情况下,从空战中的环境、地域等方面考虑,将大规模的机群空战划分为小集团内部的小机群作战.根据我机的载弹量和敌机的威胁度,进行分配导弹,分配原则考虑了我方的二次攻击.一次攻击后,计算敌机和我机的损失,再次对敌机和我机进行空战态势分析,进行...