退火工艺对Al离子注入的4H-SiC表面形貌的影响

通过应用多次Al离子注入和CVD中的高温退火技术,在SiC片表面形成了p型层。p型层中各深度下Al的浓度均为110¹⁹cm^-3,层厚为550nm。本文应用三种不同的退火工艺对注入后的SiC进行退火。通过测量和比较表面粗糙度,发现通过石墨层覆盖来保护表面的退火工艺可以很好的阻止SiC表面在高温退火下的粗化,粗糙度保持在3.8nm。通过其他两种(在氩气保护下、在SiC保护片的覆盖下)退火工艺退火所得到的表面有明显的台阶,粗糙度分别为12.2nm和6.6nm。     

一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

为了降低芯片电路功耗,电源电压需要不断的减小,这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究,采用SMIC 0.18μm工艺,设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明,该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB;在2⁶ V电源电压下,工作电流为30μA,温度系数为30.38 ppm/℃,电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。     

基于快速步进法的三维反射波追踪

引入了一种改进的快速步进算法,对三维复杂介质中反射波进行波前追踪,并利用QT和OpenGL相结合的方法对速度场以及射线路径进行可视化模拟。通过模型仿真,验证了该方法的效率、精度以及可靠性。     

一种低轨卫星网络的概率风险评估方法研究

可靠性分析是卫星星座设计过程中不可或缺的一环。针对低轨卫星网络的高可靠性要求,利用概率风险评估的分析方法,结合网络风险及故障树理论,提出了卫星故障树杠铃风险模型。在此模型基础上分析＂铱＂星系统网络,利用卫星工具箱获取每颗卫星对地覆盖人口数,以此为参数计算得到对网络影响较大的节点和链路,对于今后评估卫星网络风险具有一定的启发意义。     

镀铬机组网络通讯原理及其应用分析

宝山钢铁股份有限公司冷轧薄板厂镀铬机组的基础自动化控制系统均采用SIEMENS公司的Simatic S7-400PLC,该控制系统中的网络通讯设备主要采取玻璃光纤及现场总线,依靠光纤及Profibus电缆来连接现场每一个电气设备,从而达到自动化控制的目的。文章介绍了光缆通讯的原理及其优点。针对冷轧薄板厂镀铬机组自动化控制系统以及光缆通讯,对现场应用中存在问题进行简要介绍,并找到解决途径,进行技术应用改进。通过改进前后对比,该方法取得良好效果,取得一定经济效益。     

单向耦合半导体激光器之间的混沌同步研究

研究了单向耦合半导体激光器之间的混沌同步。通过计算两个单向耦合的半导体激光器模型的Lyapunov指数,确定了耦合强度的取值范围。进一步设计了耦合控制器,使响应系统的状态变量精确同步于驱动系统。仿真模拟结果表明,该方法可快速有效地实现半导体激光器的混沌同步。     

一种有效解决TD-SCDMA终端业务互通的思路

文章通过分析移动数据业务发展的现状，针对终端业务互通瓶颈的问题，提出了一种基于“终端业务平台＋开发社区”的终端业务平台实施方案，并对该系统的基本组成部分和功能进行了介绍，最后对在TD—SCDMA领域实施该方案的后发优势进行了分析。     

完全收敛性中的Paley不等式

本文研究了完全收敛性中的Paley不等式,得到了Hsu-Robbins-Erds大数定律的更加精确的下界和上界,讨论了文[1]中提出的问题,同时在更加广泛的大数定律的意义下推广了[1]的结果,得到了比文[2,3]更加精确的结论。     

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因.利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.     

舰用红外诱饵的新发展

本文介绍了七、八十年代美、英、法等国的舰用红外诱饵的技术性能和战术指标，主要特点及试验生产情况．