再制造系统外部竞争要素的作用与委托代理机制

在再制造系统中引入了外部竞争因素,构建了一个三产品竞争系统.在内、外部竞争的条件下,分别给出了均衡解,研究了OEM实施再制造和外部竞争者进入的决策边界条件,设计了委托代理合作契约.研究表明:在单竞争因素的情况下,内部竞争不能产生充分的阻力,以阻止竞争者进入；双竞争因素下,内部竞争没有产生更大的阻力,外部竞争使OEM的再制造策略变得更加困难,这迫使OEM选择委托代理合作机制,其转移支付依赖于:规模经济,机会成本和竞争者产品竞争力.     

线性谐振子的非定态波函数

引入初坐标算符和初动量算符为线性谐振子的力学量完全集，求解薛定谔方程，可得到线性谐振子的两类非定态波函数。     

块状和薄膜CuInSe_2的远红外反射光谱

CulnSe_2是一种可以制作光伏探测器、太阳能电池和发光二极管的化合物半导体。关于块状CuInSe_2的远红外反射光谱实验结果的Kramers-Kronig分析,Gan等人和Riede等人得到了十分不同的结果。薄膜CuInSe_2的远红外反射光谱尚未见报道。我们测量了块状和薄膜CuInSe_2在50～400cm~(-1)光谱区的反射率。在实验数据的分     

电解提取含铜钢中相时铜的电化学行为

电解提取含铜钢或其他含铜合金中的相时,在阳极沉淀中常常发现铜、铜的氧化物或合金基体,有时甚至出现难溶的卤化铜沉淀,严重歪曲相分析结果。本文目的在找出阳极沉淀被污染的原因及其解决办法。样品成份(重量％)为:2Cu、0.4Mo、0.4Mn、0.38C,其余为Fe。实验结果 1.在水溶液中的电解行为:选用0.3M氯化铵+0.5M柠檬酸水溶液电解提取     

闪烁计数器阵列定位系统

该闪烁计数器阵列定位系统,即闪烁计数器描迹仪,不但可以确定带电粒子通过的位置,还可以用做触发计数器。在用做触发计数器时,它还具有选择落入该阵列的带电粒子数目的能力。该描迹仪为8×8闪烁计数器阵列,每条闪烁体（ST401型）为40×5×0.6cm³。配用GDB50光电倍增管。阵列面积为40×40cm²。我们自制了快电子学系统和数据读取系统,在与微处理机联试过程中,工作稳定可靠。造价低廉。     

密相液固两相湍流K-ε-T模型及其在管道两相流中的应用

为了准确预测密相液固两相湍流流动,建立了Ｋ－ε－Ｔ模型,推导了控制方程组。利用该模型对竖直上升管中的密相液固两相流动进行了数值模拟,得到了与实验值吻合较好的结果。     

单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移

分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移，分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式，并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式，结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数，并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式，这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式. 关键词： Goos-H?nchen位移 左手介质 单轴各向异性 临界角     

Van der Pol振荡器的模拟仿真

利用运算放大器和乘法器进行电路设计,对早期利用电子管实现的Van der Pol振荡器利用现代集成电路加以实现。文中还利用OrCAD PSpice对设计的电路进行了模拟,得到了Van der Pol振荡器输出信号的波形图,并利用文本文件作为OrCAD PSpice和Matlab之间的接口,将OrCAD PSpice仿真得到的波形在Matlab中进行处理,得到Van der Pol振荡器两个状态变量的相图,并以此说明了Van der Pol振荡器所具有的丰富的非线性动力学特性。     

单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hnchen位移

分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hanchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-Hanchen位移解析表达式,并分析了Goos-Hanchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-Hanchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-Hanchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-Hanchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-Hanchen位移的表达式.