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The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology 下载免费PDF全文
Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS. 相似文献
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44.
The supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells 下载免费PDF全文
Using computer-aided design three-dimensional simulation technology,the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated.It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing,which is quite attractive for dynamic voltage scaling and subthreshold circuit radiation-hardened design.Additionally,the effect of supply voltage on charge collection is also investigated.It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of the parasitical bipolar junction transistor(BJT) and the existence of the source plays an important role in supply voltage variation. 相似文献
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催化湿式氧化中铜基催化剂的流失与控制 总被引:9,自引:0,他引:9
制备了催化湿式氧化处理有机废水用铜基催化剂,并用XRD,XRF和TG-DTG等手段对催化剂进行了表征,对催化剂及其前驱体的组成和结构进行了分析鉴定.结果表明,由类水滑石结构的前驱体焙烧得到的催化剂Cu-Al-Zn-O,其活性组分铜的流失得到了控制;在氧化降解苯酚、十二烷基苯磺酸钠和磺基水杨酸时,在初始氧分压0.5MPa和160~220℃的反应条件下,催化剂活性组分铜的流失量小于0.3mg/L.对催化剂活性组分不易流失的原因进行了理论解释和计算. 相似文献
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A position-sensitive detector is designed for neutron detection. It uses a single continuous screen of a self-made lithium glass scintillator, rather than discrete crystal implementations, coupling with a multi-anode PMT (MaPMT). The scintillator is fast and efficient; with a decay time of 34 ns and thermal neutron detection efficiency of around 95.8% for the 3 mm thick screen, and its light yield is around 5670 photons per neutron and 3768 photons per MeV γ rays deposition. The spatial resolution is around 1.6 mm (FWHM) with the energy resolution around 34.7% by using α (5.2 MeV) rays test. 相似文献
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近年来高能电子在核上的散射直接肯定了核子具有一定的结构,实验并已较好地测出了质子和中子的电磁形状因子。但是,轻粒子的形状因子还没有测定。在轻粒子中,中微子的形状因子又是一个很有兴趣的问题。由于中微子只参与弱相互作用,所以对它的结构因子的理论分析可能较为简单。我们在工作中曾经指出,通过和电子(或μ介子)的弱相互作用,中微子将具有一定的电磁形状因子。初看起来,通过中微子v_e在电子上的散射,可以测定中微子的电磁形状因子。但是事实上,因为v_e和电子有一级的弱相互 相似文献
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