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31.
基于VC++的数据采集系统 总被引:1,自引:0,他引:1
为实现对某自动检测系统信号的实时检测,本文以工控机和数据采集卡PCL-1713为硬件平台,VC++为软件平台,利用DAQ控件和动态链接库两种方法,分别对电压信号进行采集。针对数据采集中误差出现的随机性,采用数字滤波对采集信号结果进行处理,并利用非线形校正法,以MATLAB为工具,对信号进行拟合校正,测试精度达到0.003V,满足数据采集的要求。与以前同类数据采集系统相比,改进了测试流程,提高了测试效率,信号的采集更加快速,准确。此采集系统现已应用于某装备自动检测系统。 相似文献
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33.
新工科下电子技术学科的快速发展,要求高校培养的专业人才应具有对所学知识的应用和创新能力.传统的电子技术实践教学模式已不能满足对创新型人才培养的需求,为此,本文提出了电子技术实践教学的"层次化、递进式"新框架,由课内基础实验扩展到电子技术实践实训,最后让学生结合全国大学生电子设计竞赛得到锻炼.实践表明,该教学模式充分激发... 相似文献
34.
本文提出了一种基于色度滤波的唇动特征提取与识别方法,它通过唇的色度滤波,得到增强的唇动图像,再利用可变模板,描述口型轮廓并提取特征参数,并用HMM模型进行唇运动序列图像识别。该方法鲁棒性强,对光照没有苛刻的要求,且针对非特定人,适用于自然条件下的实用环境,解决了可变模板对目标边缘有较高分辨率的要求,使方法更实用化。本文的实验是基于单纯的视觉信息(没有声音信道的信息)的唇动识别,不加语音信息,实验集合只限于单韵母,识别率可达95.8%。 相似文献
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由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题.根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电(ESD)、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力(EOS)能力的量化检测方法.针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法.以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p+保护环结深、p+结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法.提出了一种p+-p-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性. 相似文献
37.
常压下得到的YSr2Cu3O7-δ(YSCO)不是超导体,它属于四方晶系钙钛矿结构,用B置换一部分Cu,得到了YSr2(Cu0.5B0.5)Cu2O7-δ,具有无公度调制结构,但仍不是超导体.进一步用Ba部分置换Sr得到了Y(Sr2-xBax)(Cu0.5B0.5)Cu2O7-δ高温超导氧化物,其无公度调制波矢长度随x的增加而减短[1].再用Ca部分置换Y时,得到(Y1-yCay)(Sr2-xBax)(Cu0.5B0.5)Cu2O7-δ,仍为超导体.而且(x=1.5,y=0.3)时的超导转变温度比(x=0.5,y=0)时高出近20K[2].本文报道了该化合物晶体结构中的调制现象和规律. 相似文献
38.
39.
AOI系统在PCB中的应用 总被引:9,自引:1,他引:9
针对PCB制造过程中的缺陷,主要介绍自动光学检测(AOI)系统的作用、工作原理、生产流程、主要组成部分及主要技术模块。 相似文献
40.
多角度偏振成像仪(MAI)采用背照式面阵CCD探测器,用于定量获取云与气溶胶参数。暗电流是影响面阵CCD探测器数据质量及其定量应用的主要因素之一。为了分析CCD暗电流特征及其通道依赖性,并改进CCD成像质量,在分析MAI 0级数据特征的基础上,提出基于夜间场景对MAI各通道暗电流特征进行分析的方法,并于2018年2月2日—16日开展了MAI夜间场景观测实验。通过对比MAI挡光通道白天和夜间的观测结果可知,白天和夜间观测到的暗电流特征无明显差异。故基于夜间观测数据对MAI 13个通道的暗电流特征开展分析,结果表明:各通道暗电流分布均存在一定程度的非均匀性及"坏点",且单个通道的分布具有较好的稳定性,但各通道之间存在显著差异。基于图像法对"坏点"进行校正,基于线性、非性线关系对像元间的不均匀分布进行校正后,暗电流图像的标准差由12.1%降至6.9%。以晴空洋面观测值为参考,暗电流及"坏点"对像元观测的最大相对误差由9.1%降至3.0%。分析结果表明:相对于设置暗电流监测通道,基于夜间观测的暗电流监测不仅可以监测各通道的暗电流特征,还可以处理暗电流的通道依赖性问题。因此,在后续的星载观测仪器设计中,无需单独设置暗电流监测通道就可以直接利用CCD夜间观测对各通道暗电流进行在轨监测与校正。 相似文献