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新型实时时钟芯片DS12887原理与运用 总被引:7,自引:0,他引:7
DS12887为DALLAS公司生产的实时钟芯片,除具有实时钟功能外,它还具有114字节的这用RAM,内藏锂电池,并与广泛应用的DS1287,MC146818B脚对脚兼容。本文对应用角度出发,概述了其功能特点,外部特性,内部结构及与微机芯片的接口应用。 相似文献
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本文用有限温自洽类声子近似,对引入静电能的非对角项后颗粒超导体中相有序转变的影响进行了计算。发现比不考虑非对角项时,其相有序转变温度T_c~*降低,相有序的出现临界值α_c提高。 相似文献
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The relationship between the selectivity of six drug ion-selective electrodes with anionic species of hetero-poly acid as exchange site and the structural and thermodynamical parameters of the metal ion has been investigated experimentally and theoretically. The electrode selectivity is controlled mainly by the extractibility or hydrophobicity of the metal ion, but not by the ion-association-complex formation process. Linear relationship exists between the pK_(ij) value and the structural parameter z~2/(r + 0.85) and the thermodynamic parameter of hydration (△G_h) of the metal ion. Better correlation is obtained for the pK_(ij)vs. (z~2/r)~(-k) relationship. 相似文献
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Comparative Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Transmission Electron Microscopy, X-Ray Diffraction and Rutherford Backscattering 下载免费PDF全文
The composition, elastic strain and structural defects of InCaN/CaN multiple quantum wells (MQWs) are comparatively investigated by using x-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy and Rutherford backscattering/channelling. The InGaN well layers are fully strained on CaN, i.e. the degree of relaxation is zero. The multilayered structure has a clear defined periodic thickness and abrupt interfaces. The In composition is deduced by XRD simulation. We show how the periodic structure, the In composition, the strain status and the crystalline quality of the InGaN/GaN MQ, Ws can be determined and cross-checked by various techniques. 相似文献
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该文首次报道了三原子准分子辐射寿命公式(RLF)。利用RLF对三原子准分子的物理量计算结果表明,它与实验值比较吻合。 根据海森堡测不准原理,我们假设受激准分子 相似文献