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π共轭聚吡咯衍生物非线性响应时间的测量 总被引:4,自引:2,他引:4
合成一种新型π共轭聚吡咯衍生物———聚吡咯 { 2 ,5 二 [(对硝基 )苯甲烯 ]} (PPNB) ,制备了该高分子的N 甲基 2 吡咯烷酮 (NMP)溶液和聚乙烯醇 (PVA)复合薄膜。用 5 32nm ,8ns脉冲激光作抽运光源 ,氦氖激光 (6 32 8nm ,CW)为探测光源 ,测量了该高分子的非线性光学响应过程 ,测得PPNB/NMP溶液和PPNB/PVA薄膜的激光诱导折射率的建立时间分别为 4μs和 5 μs,恢复时间分别为 30ms和 5ms。引起这种非线性效应的机制可能主要是热光非线性效应。 相似文献
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3G移动数据业务商业运营模式初探 总被引:7,自引:0,他引:7
移动数据业务对3G运营商至关重要.运营商经营移动数据业务的基本原则是:自主建设基本应用平台,对于数据应用需要与应用/内容提供商合作提供,独立提供应用单一的数据业务,自主建设数据应用支撑系统.不同移动数据业务的商业运营模式不同,根据市场、业务、伙伴关系、运营商自身等因素,可以将移动数据业务的商业运营模式分为四种类型:直销型、主动型、认证型、转售型.移动运营商要针对每类商业模式,制定具体的游戏规则. 相似文献
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We synthesize LiTal-x FexO3-σ (LTFO) remain single phase up to x = 0.09 ceramics by the conventional solid-state reaction method. The samples The magnetic measurements show that the doping of Fe successfully realizes ferromagnetism of LTFO at room temperature. The dielectric measurements indicate that LTFO is ferroelectric, similarly to LiTaO3 (LTO), but its ferroelectric Curie temperature seems to decrease with the increasing Fe content. By means of doping Fe ions into LTO, the coexistence of spontaneous electric polarization and spontaneous magnetic moment is realized at room temperature. 相似文献
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对于溅射后硒化和共蒸发等方法制备的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池薄膜,利用多种分析方法研究了CIGS多层膜的复杂结构等.研究表明:卢瑟福背散射(RBS)在分析CIGS多层膜方面具有其独特优势和可靠的结果;溅射后硒化方法制备的CIGS薄膜中,Ga和In在CIGS薄膜中呈梯度分布,这种Ga表层少而内层多的不均匀分布与Mo层没有必然关系;RBS和俄歇电子能谱分析(AES)均显示CIGS太阳能电池器件多层膜界面处存在扩散,尤其是CdS与CIGS,Mo与CIGS的界面处;X射线荧光(XRF)结果表明,电池效率最高的CIGS层中In,Ga比例为In:Ga=0.7:0.3;X射线衍射(XRD)结果显示:退火后的CIGS/Mo薄膜结晶品质得到了优化. 相似文献
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Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling 下载免费PDF全文
<正>A 240-nm thick Al0.4In0.02Ga0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire(0001).Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(xmin= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal(1213) axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion eT,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed (eT=0). 相似文献
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数字抠像是将一幅图像中的前景物体与背景进行分离的问题,它的关键在于Alpha通道的计算.以往通过采样方法求得的Alpha中,由于采用逐点计算的离散化方式,求解出的Alpha通常不连续,并且包含很多噪声,因而需要对Alpha进行后处理,这不仅会增强Alpha在视觉上的平滑性,而且能够进一步提高Alpha的精确度.在目前国际上,有关数字抠像后处理领域已经进行了许多研究,但缺少相关的综述性文献,并且对后处理后的Alpha如何进行定量的评价也仍未系统解决.本文首先将数字抠像中的后处理方法分为2类:与仿射类方法相结合的方式及自平滑方式,其次,对两类方法进行了全面的总结和梳理,并对方法的优缺点进行了分析,对将来研究方向提出了建议,最后,针对后处理后的Alpha结果进行了全面的量化比较,弥补了传统方法基本上仅在视觉层面上进行比较的缺陷. 相似文献
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