间羧基氯磺酚的合成及其光度法测定钢中铌

报道了间羧基氯磺酚(SCPmK)的合成及其与铌的显色反应,在1．8-3．0mol·L-1的盐酸介质中,铌与SCPmK形成1∶1的深蓝色配合物,最大吸收波长在640nm处,其摩尔吸光系数为1． 08×10５L·mol-1·cm-1(乙醇溶液),铌含量在0-60μg／50ml符合比耳定律,运用此法可直接测定钢中微量铌。     

MH—Ni电池放电过程的仿真研究

提出一种基于行为模型自动建立电池放电电压过程的建立方法,根据测得的电池充电电压特性曲线和小于10分钟的放电电压特性曲线,即可快速模拟出电池的全部放电电压特性曲线,该方法应用到AA型密封MH-Ni电池上进行仿真,预测放电容量准确率达到95．8％,误差小于40mAh。     

SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术

近来,ＩＢＭ公司利用绝缘层上的硅（ＳＯＩ）技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片,该芯片不仅工作速度显提高,功耗也大幅度下降,充分显现了ＳＯＩ技术的优越性。这也预示着ＳＯＩ技术将逐步走向商业应用。ＳＯＩ技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本介绍了市场绎低压、降低耗电路的需求,分析了ＳＯＩ技术实现低压、低耗电路的工作原理,综述了当前ＳＯＩ低压,低功耗电路的新动向。     

关于不同分布两两NQD列的Jamison型加权乘积和的强稳定性

本文讨论了不同分布两两ＮＱＤ列的Ｊａｍｉｓｏｎ型加权乘积和的强稳定性及乘积和的Ｍａｒｃｉｎｋｉｅｗｉｃｚ型强大数律,推广并改进了Ｅｔｅｍａｄｉ［１］关于不同分布两两独立列部分和的工作及Ｍａｔｕｌａ［２］,王岳宝等［３］关于同分布两两ＮＱＤ列部分和的工作．     

Cl HN_3产生NCl(a~1Δ)和NCl(b~1Σ)的实验研究

对利用微波放电直接解离 Cl2 生成 Cl,Cl与 HN3 反应生成 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)的过程进行了实验研究。得到了较强的 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)自发辐射光谱 ,考察了 Cl2 流量和 He/ Cl2 配比对NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响。发现对于一定的 He流量 ,Cl2 流量对 NCl(a1Δ)和 NCl(b1Σ)生成的影响存在一最佳范围 ,而最佳 He/ Cl2 配比不是一定值 ,而是随 He流量升高而变大 ,在实验所考察的 He流量范围 (5～ 4 0 L/ min)内 ,最佳 He/ Cl2 配比在 3 0∶ 1～ 1 0 0∶ 1之间     

Cl+HN3产生NCl(a1△)和NCl(b1∑)的实验研究

对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl,Cl与HN3反应生成NCl(a1△)和NCl(b1∑)的过程进行了实验研究.得到了较强的NCl(a1△)和NCl(b1∑)自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a1△)和NCl(b1∑)生成的影响.发现对于一定的He流量,Cl 2流量对NCl(a1△)和NCl(b1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl 2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围(5～40 L/mm)内,最佳He/Cl 2配比在30:1～100:1之间.     

NCl(α)/I全气相碘激光与氧碘化学激光能量提取的分析比较

利用连续流光腔动力学模型,对氧碘化学激光(COIL)和基于NCl(α)-I传能的全气相碘激光(AGIL)的能量提取进行了分析和公式推导,得到了连续流光腔的光子通量解析表达式以及氧碘化学激光光子通量沿流动方向的分布和输出功率的简化计算公式.AGIL的体系较为复杂,不能得到光子通量沿流动方向分布和输出功率的简化计算公式.从能量提取和体积重量效率角度,对氧碘化学激光和基于NCl(α)-I传能的全气相碘激光进行了对比评价.     

放电激励产生单重态氧的实验研究

对射频放电产生单重态氧进行了实验研究,在不同掺杂物种、不同电极间距、不同稀释配比的情况下,研究了单重态氧相对产率的变化规律,分析了单位氧流量注入能量对单重态氧产率和电效率的影响。实验表明,NO和Hg蒸气的加入,使放电产生单重态氧的相对产率都有显著的提高。随着电极间距的缩小,可以实现高气压工作,放电总压可以达到22.6 kPa,氧气分压超过了4.0 kPa,产率方面也有大幅度提高。单位氧流量注入能量在150~400 J/mmol时,单重态氧产率比较高;电效率较高的区域对应的单位氧流量注入能量在150 J/mmol左右。     

脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜

ｃ轴取的ＡｌＮ具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺,在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射拇衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在３００℃－８００℃衬底温度下,薄膜均只有（００２）－一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;