体光源模拟标定法测量发光粒子绝对浓度

介绍了发光粒子绝对浓度的一种简单易行的方法一体光源模拟标定法,体光源模拟标定法测量发光粒子的绝对浓度,是把发光气体以某一流速引入－已知体积的流动光池中,再通过具有低象差失真的光学系统,把该体光源成像在探测器的有效表面上,探测器和测量仪器组成的测量系统,要经过标准光源和电学标定,本方法用于单重态氧O1（^1△）绝对浓度的测量,测出其绝对浓度和分压,其测量的相对误差小于20％。     

离子束增强沉积AlN薄膜的研究

利用离子束增强沉积9IBED）法成功地在Si(100）衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜。XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N／Al分别为0.402:1和0.250:1。SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并助在0.05nm/s的速率下制得的薄均匀致密,表面电阻高于10^8Ω,性能良好,而当蒸发速率≥0.25nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长。     

环氧乙烷-四氢呋喃共聚醚基热塑性聚氨酯弹性体氢键体系的定量研究

氢键为热塑性聚氨酯弹性体内的重要键合力特征。该文基于氢键所引起基团的频移,以FTIR为主要的研究手段,并结合通过动态力学性能（DMA）研究所建立的评估硬段与软段之间混溶的定量方程,对所合成的以环氧乙烷－四氢呋喃无规共聚醚、2,4－甲苯二异氰酸酯以及1,4－丁二醇为原料的热塑性聚醚聚氨酯弹性体的氢键体系进行了定量化研究。结果表明,大约有30％的硬段混溶进入炊段相对软段的醚氧产生氢键作用,主要的氢键包括硬段羰基与硬段氨基之间的氢键以及硬段烷氧与硬段氨基之间的氢键,仍发生在硬段岛区内。     

低压、低功耗SOI电路的进展

最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。     

基于金属有机框架/卟啉/多壁碳纳米管构建的新型葡萄糖非酶传感器

利用钴卟啉(Co-TCPP)的催化性能、多壁碳纳米管(MWCNTs)的良好导电性和金属有机框架(Co-MOFs)的高密度活性位点,通过温和方法制备了新型复合材料Co-TCPP/MWCNTs@Co-MOFs,并用此材料构筑了一种新型葡萄糖非酶传感器.电化学实验结果表明,该传感器对葡萄糖具有良好的响应.     

一种用于超宽带接收机的CMOS可变增益低噪声放大器

本文介绍一种符合中国超宽带应用标准的工作频率范围为4.2-4.8 GHz的CMOS可变增益低噪声放大器(LNA)。文章主要描述了LNA宽带输入匹配的设计方法和低噪声性能的实现方式,提出一种3位可编程增益控制电路实现可变增益控制。该设计采用0.13-μm RF CMOS工艺流片,带有ESD引脚的芯片总面积为0.9平方毫米。使用1.2 V直流供电,芯片共消耗18 mA电流。测试结果表明,LNA最小噪声系数为2.3 dB,S(1,1)小于-9 dB,S(2,2)小于-10 dB。最大和最小功率增益分别为28.5 dB和16 dB,共设有4档可变增益,每档幅度为4 dB。同时,输入1 dB压缩点是-10 dBm,输入三阶交调为-2 dBm。     

氧碘化学激光器增益谱线的实验研究

 利用可调谐二极管激光器为探测光源, 直接测量了氧碘化学激光器的增益谱线的精细结构及其各谱线所占比例。同时用碘原子吸收池标定了六条谱线。     

氧碘化学激光器UR-90腔光束质量研究

 概括了光束质量的表示方法, 由衍射极限倍数的定义出发, 提出重点在于选取光斑直径, 而且可把光斑测量归结到电子测试仪对剪切电平的测量上。给出了电子测试仪的测试原理, 由所测光斑直径计算了氧碘化学激光器U R290腔的光束质量指标—衍射极限倍数, 达到了1.2～1.6倍衍射极限, 最后进行了误差讨论。     

氧碘激光器小信号增益时空分布的实验研究

 首次利用一台亚音速小型连续波化学氧碘激光器做探测光源，用放大法直接测量超音速化学氧碘激光器的小信号增益系数，测得了小信号增益系数随时间和气流方向的变化。     

氮气为稀释气的氧碘化学激光器射流式氧发生器诊断

考察了氮气作为稀释气体的氯气流量为0.1 mol/s的射流式方管氧发生器的性能.氯气利用率、单重态氧产率以及水汽含量的测试结果表明,只要把氮气流量控制在不超过氯气的3倍,则发生器的性能完全可以达到氦气作为稀释气体时的水平.