全文获取类型
收费全文 | 210篇 |
免费 | 48篇 |
国内免费 | 19篇 |
专业分类
化学 | 35篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 2篇 |
综合类 | 6篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 93篇 |
无线电 | 127篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 4篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 14篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 11篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 24篇 |
2002年 | 11篇 |
2001年 | 30篇 |
2000年 | 22篇 |
1999年 | 20篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有277条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
芯片规模封装(CSP:ChipSizePackage)尚处于开发阶段,但其发展势头良好。因此,今后的发展方向是获得公认的市场,或者是与裸芯片KGD(KnownGoodDie)技术的发展而相联系的。但是,随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化,由于采用CSP容易测定及老化,易于一次回流焊接等安装以及操作简便,可以认为在今后长期间内,CSP会替代常规的封装。另外,也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行CSP的改进及降低成本。 相似文献
4.
芯片规划规模封装尚处于开发阶段,但其发展势头良好。因此,今后的发展方向是获得公认的市场,或者是与裸芯片技术的发展而相联系的。但是,随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化,由于采用CSP容易测定及老化,易于一次回流焊接等安装以及操作简便,可以认为在今后长期间内,CSP会替代常规的封装。另外,也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行SP的改进及 相似文献
5.
6.
7.
对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns. 相似文献
8.
以合成的g-C3N4纳米片和Ag/TiO2空心微球为原料,采用机械搅拌的方法构筑了g-C3N4/Ag/TiO2三元复合光催化剂。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光漫反射(UV-Vis DRS)和光致发光光谱(PL)对g-C3N4/Ag/TiO2进行了表征。研究表明,g-C3N4/Ag/TiO2是由Ag/TiO2微球和g-C3N4纳米片复合而成的。与TiO2相比,其可见光响应范围延长,光生载流子的分离速率加快。在室温下,用降解罗丹明B的反应考察了g-C3N4/Ag/TiO2的可见光催化活性。研究表明,光照180 min时,g-C3N4(0.5%)/Ag/TiO2显示了最高的光催化活性(91.9%),分别是TiO2和Ag/TiO2的7.5和1.8倍。光催化活性的提高与合理的异质结构建和Ag的导电性能有关。 相似文献
9.
对利用微波放电直接解离Cl2生成Cl, Cl与HN3反应生成NCl(a1Δ )和NCl(b1∑)的过程进行了实验研究。得到了较强的NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)自发辐射光谱,考察了Cl2流量和He/Cl2配比对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响。发现对于一定的He流量,Cl2流量对NCl(a1Δ 和NCl(b1∑)生成的影响存在一最佳范围,而最佳He/Cl2配比不是一定值,而是随He流量升高而变大,在实验所考察的He流量范围(5~40 L/min)内,最佳He/Cl
2配比在30∶1~100∶1之间。 相似文献
10.