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11.
In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 总被引:2,自引:0,他引:2
用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. 相似文献
12.
13.
设x:M→S^n+1(n≥23)是n+1-维单位球中的无脐点超曲面,Moebius不变量G,Ф,A和B分别表示x的Moebius度量,Moebius形式,Blaschke形式和Moebius第二基本形式.本文证明了如果x的Moebius形式圣平行,并且A+λG+μB=0,其中λ,μ分别是定义在M上的光滑函数,那么Ф=0,由此及李海中、王长平(2003年)文献中的分类定理给出了眇州中具有平行的Moebius形式及满足A+λG+μB=0的超曲面的分类.此结果推广了他们及张廷枋(2003年)文献中的结果. 相似文献
14.
纠缠和非经典效应是经典理论所不能解释的非经典现象,两者是否具有关系引起了人们的研究兴趣,已有的研究表明:纠缠和压缩存在着一定关系,有压缩时存在着纠缠,但有纠缠时不一定存在着压缩。但纠缠是否与反聚束效应有关还未研究。本文主要研究了两种形式的纠缠相干态,通过concurrence的方法计算它们的纠缠度、压缩效应和反聚束效应。通过数值计算可以发现一个有意思的现象:这两种形式的纠缠相干态,在适当的条件下,有压缩效应时,没有反聚束效应,有反聚束效应时,没有压缩效应,特别是第二种形式的纠缠相干态,纠缠的大小分别与压缩效应和反聚束效应的强弱存在着一一对应的关系。 相似文献
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16.
17.
Controlled Bidirectional Quantum Direct Communication by Using a GHZ State 总被引:5,自引:0,他引:5 下载免费PDF全文
A controlled bidirectional quantum secret direct communication scheme is proposed by using a Greenberger- Horne-Zeilinger (GHZ) state. In the scheme, two users can exchange their secret messages simultaneously with a set of devices under the control of a third party. The security of the scheme is analysed and confirmed. 相似文献
18.
介绍一种新的复合免疫标记技术(光镜荧光免疫标记结合电镜免疫金标记)陆月良,夏愿耀,颜永碧(第二军医大学中心实验室,上海200433)本方法将荧光免疫标记与免疫金标记技术二者相结合,使同一份样品能在荧光显微镜下观察,也可以进行电镜观察。我们采用这项技术... 相似文献
19.
20.
压缩奇偶相干态的熵压缩特性 总被引:3,自引:1,他引:2
用数值方法讨论了相干态强度、相位角和压缩参数对压缩奇偶相干态位置熵和动量熵压缩特性的影响。结果表明,压缩奇偶相干态的位置熵和动量熵均可呈现压缩性,压缩偶相干态的最大熵压缩度比压缩奇相干态的要大。熵压缩度与相干态强度、相位角和压缩参数均有关系,但压缩因子对场熵压缩的影响最大。当其它条件一定时,压缩偶相干态在压缩参数|β|=O.95时,位置熵(或动量熵)的压缩度最大,但压缩奇相干态无此特点。 相似文献