数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现

详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器（DRFM）系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试．利用南京电子器件研究所标准GaAs Φ76mm全离子注入工艺，采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC．测试结果表明，该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化，达到1.2Gbps的输出码流速率，其瞬时带宽可达150MHz，具备±0.22LSB的相位精度．     

校园网流量分析与控制策略应用

本文通过分析目前的常用流量分析方法、流量控制方法,以实例说明了如何使用流控设备对网络流量进行深入分析,并制定相应的网络控制策略,从而有效的改善网络环境。     

工程认证背景下的"模拟电子技术"教学改革

针对“模拟电子技术”课程教学存在问题，围绕工程教育专业认证三大理念进行教学改革：结合产业需求和技术发展调整教学内容侧重点，引入课程思政；综合运用翻转课堂、项目驱动、虚拟仿真等多种教学手段，突出实践教学；围绕学习成果产出改革考核内容和方式，构建立体化评价体系。改革实践证明，学生在学习积极性和主动性、工程实践能力与创新能力，进步明显。     

绝缘微堆质子直线加速器关键技术研究进展北大核心CSCD

基于绝缘微堆技术的直线加速器由于其能够实现较高的粒子加速梯度,尤其在质子加速及肿瘤治疗领域的优势得到高度关注。目前该种加速器处于研发阶段,有一系列技术和工程问题有待解决。介绍了课题组在过去的两年里围绕建立一台1 MeV质子注入器原型样机在固态脉冲功率系统、绝缘微堆及质子束源等方面取得的研究进展。实现了耐压梯度接近20 MV/m的环形绝缘微堆样品,样品内径30 mm,外径50mm,厚度15mm,基本达到设计要求;固态脉冲功率系统实现了光导开关多路稳定工作模式,开关直流偏置耐压达到20kV,采用激光二极管触发同步系统在15路同步时实现了低于1ns的抖动,输出300kV的电压脉冲,输出电压脉冲宽度10ns;进行了低能质子加速束流动力学的初步分析和模拟工作,模拟结果表明采用微堆结构可以实现质子束的有效加速和传输。     

电子企业质量管理信息化规划与实践(3)

(接上一期) 6.电子企业质量管理信息系统(QIS)框架 按照对产品全质量生命周期进行管理和适应企业已实施的ISO9000管理体系的思路,QIS系统应从产品实现策划、设计、采购、生产、服务、测量和持续改进的全过程进行质量管理和控制.其系统原理图如图6-1:     

高一学生函数学习数学抽象能力的调查研究

1问题提出 数学抽象作为教学核心素养之首,在数学教育中具有举足轻重的地位.数学抽象是指通过对数量关系与空间形式的抽象,得到数学研究的对象.高一数学必修中的主要内容围绕函数开展,首先通过集合、逻辑用语、不等式的学习为函数铺路,而后学习函数的概念、性质、图象以及指、对、幂函数、三角函数等具体函数.在函数相关概念的教学中,最...     

抛物线的分解

抛物线的分解夏新桥（广州市第４４中学５１０６５５）从抛物线的方程ｙ＝ａｘ２＋ｂｘ＋ｃ以及图象的叠加原理我们可以知道：一条直线和一条抛物线，或者两条抛物线，都可以“合成”一条新的抛物线；反过来，对一条抛物线也可以做相应的“分解”．在解题时巧用抛物线的分...     

罗丹明B的飞秒双光子荧光显微成像研究

利用宽带飞秒振荡器作为激发光源搭建了双光子荧光显微成像系统,在飞秒脉冲的宽带激发下,测量了罗丹明B溶液的双光子荧光光谱,开展了罗丹明B固体样品的双光子荧光显微成像研究。在双光子荧光显微成像研究中,通过调节激发脉冲的功率,分析了双光子荧光强度和激发脉冲功率之间的关系,并且利用半波片改变线偏振激发光场的偏振方向,研究了双光子荧光强度随激发脉冲偏振方向的变化趋势,实现了双光子荧光强度的类正弦调制。     

级联弧放电氦等离子体特性研究

采用另加偏压的单阴极弧氦放电直线等离子体装置对氦等离子体的基本特性进行了研究。对氦轴向输运规律做了描述并与光谱测量数据做了定性地比较。实验结果表明,氦等离子体的电子温度与电子密度均随放电电流、约束磁场的增加而增加。氦原子与氦离子的辐射光谱随放电电流、偏压、磁场的变化规律进行了测量分析,同时氦离子对钨靶积分辐照效应进行了观察。这些结果不但提供了氦等离子体的基本特性,对于研究氦离子与面向等离子材料相互作用导致产生气泡、肿胀、脆化损伤等的评估,特别是对将来伴有(n, α)反应时具有一定的参考价值。     

稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)