叠加定理在运放计算中的应用探讨

根据集成运算放大器的特点，结合一些具体实例，介绍了集成运算放大电路计算的另一种方法，即叠加法，采用这种方法对电路进行分析与求解显得简单而易于理解。同时引入分级计算，特别是对于多个运算放大器组合成的网络，简化了复杂电路的求解难度。     

第三代移动通信标准化研究的最新进展

本文介绍了第三代移动通信的无线传输技术与网络标准化研究的最新进展,其中包括国内外第三代移动通信标准化组织的情况,以及最近的ITU-R TG8/1会议和3GPP会议有关标准化研究的新成果.     

用高阶剪切变形理论研究双模量梁的弯曲

利用高阶剪切变形理论研究了双模量梁的弯曲变形问题,推导出了双模量梁的挠曲线方程及弯曲正应力公式．讨论分析了翘曲函数的指数n对挠度、正应力的影响．研究结果表明：拉压弹性模量的差异对梁的弯曲应力有较大影响．把高阶剪切变形理论的计算结果与弹性理论计算结果进行比较,可知该方法计算精度非常高．     

利用 IASI资料反演平流层大气温度

红外大气探测干涉分光仪(Infrared Atmospheric Sounding Interferometer, IASI)能够获取平流层的大气温度廓线,而且由其 提取的大气温度扰动信息可用于平流层的重力波特征分析。基于神经网络方法,利用典型 大气廓线库和大气辐射传输模式建立了由IASI反演25～60 km高度范围内的平流层大气温度廓 线的算式,并结合再分析资料对反演结果进行了检验。模拟试验结果表明,平流层大气 温度反演的偏差主要在0 K附近且不超过1 K,均方根误差处在2～6 K之间,且50～5 hPa之间的均方 根误差在3 K以内。对比验证结果表明,本文的平流层大气温度反演与欧洲中期天气预报中心(European Centre for Medium-range Weather Forecasts, ECMWF)的再分析资料在总体上具有可比性,而且反演速度更快,覆盖的区域更完整。     

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

现代硬件设计规模逐渐增大,单个程序功能越来越复杂,当把多个功能复杂的程序集成到一个FPGA上实现时,由于各个程序的数据通路及所占用的资源可能冲突,使得FPGA控制模块的结构臃肿,影响了整个系统工作效率。通过FPGA的多重配置可以有效地精简控制结构的设计,同时可以用逻辑资源较少的FPGA器件实现需要很大资源才能实现的程序。以Virtex5系列开发板和配置存储器SPI FLASH为基础,从硬件电路和软件设计两个方面对多重配置进行分析,给出了多重配置实现的具体步骤,对实现复杂硬件设计工程有一定的参考价值。     

用于存储器电路的ONO结构特性研究

为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考.     

双模量面板泡沫铝芯圆形层合板的非线性弯曲

双模量材料是典型的拉压弹性模量不同的材料,在均匀外载荷作用下,双模量面板泡沫铝芯圆形层合板相当于三种不同材料组成的层合板。采用弹性理论建立了双模量面板泡沫铝芯圆形层合板在均布载荷作用下的静力平衡方程,利用该静力平衡方程确定了层合板的中性面位置。在此基础上建立了双模量面板泡沫铝芯圆形层合板的大挠度弯曲微分方程组,求得了层合板中心挠度与均布载荷的关系式。该方法计算结果与有限元计算结果的最大误差仅为3.8%,这说明该方法是可靠的。算例分析表明不考虑面板拉压弹性模量相异时其计算结果与实际情况相差较大,超过了工程上所允许的计算误差5%。所以,在计算双模量面板泡沫铝芯圆形层合板的非线性弯曲时,不宜采用相同弹性模量弹性理论,而应该采用拉压弹性模量不同的弹性理论。     

用能量法研究双模量大挠度圆板的轴对称弯曲

双模量圆板在外载荷作用下发生轴对称弯曲变形时,会形成各向同性的拉伸区和压缩区.此种情况下,可把双模量圆板看成两种各向同性材料组成的层合板,采用弹性理论建立了双模量圆板在外载荷作用下的静力平衡方程,利用静力平衡方程确定了双模量圆板的中性面位置.在此基础上,采用能量法研究了双模量大挠度圆板轴对称弯曲变形问题,将该方法计算结...     

解析新版振铃波抗扰度标准

该文采用对比的方式,详细介绍了新版振铃波抗扰度标准与旧版振铃波抗扰度标准的差异,对于标准使用者理解新标准有着指导作用,有助于新版标准的顺利实施。     

超薄氧化层制备及其可靠性研究

文章简述了超薄氧化层SiO2,的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法,氧化温度,氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响.实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm~5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3...