半导体激光器阵列电源

本文介绍一种采用VMOS管的半导体激光器阵列电源,它能产生性能良好的矩形电流脉冲。     

二氧化碳激光用碲镉汞光二极管

一般说长波红外探测器的发展落后于长波红外光源的发展。特别是在8～14微米大气窗,极好的激光产生后,合适的探测器的设计并未跟上。例如,最近发展的二氧化碳波导激光,在激光发射机的尺寸、轻便性和可能的应用方面都是引人注目的突破。这样的二氧化碳激光已经使人们看出它在激光雷达、数据通讯、污染探测、红外前视系统和工业等方面的应用正在增长。为激光的应用,典型的探测器有锗掺铜、锗掺汞和热电。锗掺杂探测器在实验室内论证系统的设计是有用的,但是不能推荐给野     

电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,     

中波天线匹配网络的设计与调整

本文提出了中波天线匹配网络设计与调整的一种新方法,即应用直角座标进行匹配网络的设计与调整。这种方法不需进行复杂的计算,调整时测得天线阻抗后,进行作图后即可迅速地获得阻抗匹配。文章详细地叙述了此方法的理论根据、并用一具体例子加以说明。     

有存贮性能的薄膜电致发光文字显示器(日本霞浦公司中心研究实验室在1976年信息显示会议上的报告摘要)

前言 作者需制成具有存贮功能的稳定的高亮度EL薄膜显示屏,可显示160×120mm大小的图象,具有320×240个象元。 随后又用上述显示屏制做了一种字母数字符号显示器,其优点是用将一个电感L与EL屏的有效电容C串连的方法降低脉冲驱动器的功耗,也即通过C.L和维持脉冲频率