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相位掩模法制造光纤光栅的理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
推导出了用相位掩模法制造光纤光栅的理论根据,得出相位掩模法中常见的一些有用公式,并报道了实验结果。 相似文献
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制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。 相似文献
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东北地区非物理专业物理教学研究协作组 《大学物理实验》2002,15(3):75-75
根据高等学校非物理类专业物理基础课程教学指导委会员关于成立地区性教学研究协作组的会议精神和有关要求 ,东北地区教学研究协作组筹备会议于 2 0 0 2年 8月 1 1日至 8月 1 4日在牡丹江市召开。会议期间课指委委员余虹教授和张铁强教授介绍了课指委近期的工作计划和要求 ,同与会人员共同探讨了成立东北地区协作组的原则和具体办法。经研究决定 :1 东北地区非物理专业物理教学研究协作组的工作立即开始运作。2 东北地区非物理专业教学研究协作组的成员单位是本地区所有具有非物理专业物理教学的高等学校 ,原则上每校出一名代表任协作组理… 相似文献
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蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。 相似文献