ZnO缓冲层对Mg0.3Zn0.7O紫外探测器的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Mg0.3Zn0.7O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器.研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg0.3Zn0.7O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg0.3Zn0.7O紫外探测器响应参数的影响.实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg0.3Zn0.7O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg0.3Zn0.7O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg0.3Zn0.7O探测器的响应度由0.035 A/W提高至0.63 A/W.     

四频差动激光陀螺中差分损耗的探讨

理论分析了四频差动激光陀螺中由于镜片的Ｓ－Ｐ相位和Ｑ的各向异性及光束不过水晶片光轴等因素所引起的左、右旋偏振模式间的差分损耗。这种差分损耗会导致激光陀螺中零漂的形成。这一问题的研究对陀螺性能的改进具有重要的参考价值     

飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究

通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si) pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔“凹槽”状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成.比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9％,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍.同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔“光俘获”微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用.     

基于Matlab单边带系统仿真

为了提高相关通信设备课程的理论教学效果,根据单边带信号调制解调的原理及产生方法,采用Matlab软件,利用其集成仿真环境Simulink以及编程分别对单边带调制解调系统进行了仿真,得到了单边带调制解调系统各个环节的理论波形,给出了具有实际应用价值的仿真模型,能实现任意输入信号源的单边带调制解调处理过程。     

一维光子晶体全角度反射镜

在分析金属反射镜和多层周期反射镜优缺点的基础上，介绍了一维光子晶体出现全偏振全角度反射的原理。讨论了增加禁带宽度的方法及一维光子晶体全角度反射镜中存在的问题。     

双栅场效应管混频器在相位法激光测距中的应用

相位法激光测距机采用混频移相测相的方法来测量本地发射信号与接收的回波信号之间的相位差,通过相位差计算测量距离.由这个原理可知,当对测量精度要求较高时,对高频下的混频器的两路输入信号隔离度的要求也提高了.采用双栅场效应管作为相位法激光测距机的混频器,能达到很好的混频效果,可有效地克服由于混频器隔离度不够高造成的混频干扰,为高精度的距离测量提供了必要条件.试验验证了电压隔离度在27 dB（500倍）以上,适合做高精度相位法测距机的混频器.     

VAN运营商的选择

企业在建立自己的网络,特别是要将各地分支机构的网络通过广域网(WAN)互连起来时,必须依赖于国际数据通讯运营公司来提供增值网络(LAN)服务。与采购一般的网络设备与服务不同,与这类运营商作交易,企业用户们往往会发现他们花费一大笔钱而得到的却并不等于所付出的代价。要想以实惠的价格获得良好的服务与支持及性能上的保证,最关键的便是要了解自己的需求。从表面上看,供应商们声称     

拉曼-纳斯衍射声光Q开关的实验研究

实验研究了拉曼-纳斯(R-N)衍射的声光相瓦作用长度与声波光波参数之间的关系,确定了最佳声光相互作用长度.在此基础上,分别设计以水和TeO2晶体为声光介质的R-N衍射Q开关器件,测量了器件的衍射效率、衍射角和插入损耗等参数.应用TeO2晶体开关器件调制长脉冲Nd:YAG/KTP激光器,当重复频率为10 kHz时得到了脉...     

碘分子532nm激光稳频系统的参数优化

根据FM光谱通过吸收介质后,经检测、相干解调的理论分析,建立了线性吸收稳频的数学模型;得到不同调制频率和调制度的误差控制信号。由此给出用于碘分子线性吸收激光稳频的最佳调制频率和最佳调制度。     

受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.