用荧光葡聚糖研究大麦细胞电融合

利用阴离子表面活性物质荧光葡聚糖 (F DX)研究了表面活性物质对大麦细胞电融合的影响 .结果表明 ,F DX可抑制电融合过程 .对放置过大麦细胞原生质体的F DX溶液 ,在荧光显微镜下可观察到其膜表面的荧光圈 ,证明F DX在膜上的吸附 .添加F DX可增加原生质体的电泳速度 ,说明吸附后原生质体表面负电荷增多 .由于相互间静电斥力的增强 ,使细胞的电融合率下降 .此外 ,还利用荧光显微技术研究了细胞电生孔现象 .观察到经电脉冲后溶液中的F DX可进入原生质体内部 ,间接证明了细胞电生孔的存在 .     

核/壳型Fe3O4/Au超顺磁性微粒的制备及机理

在超顺磁性Fe₃O₄微粒存在下,以羟胺还原Au³⁺制备了具有核/壳结构的Fe₃O₄/Au复合微粒,探讨了Fe₃O₄/Au复合微粒的形成机理.结果表明:在还原剂过量的情况下,Fe₃O₄/Au复合微粒的形成过程可分为开始的表面反应控制过程和后续的扩散控制过程,而且这2个过程所持续的时间因反应体系中加入Fe₃O₄微粒的量或Au³⁺初始浓度的不同而不同.这为合成这种新型超顺磁性微粒提供了理论依据.X射线电子能谱研究表明,随金包覆程度的增加,微球表面金的特征能谱峰逐渐增强,相应铁的特征能谱峰逐渐减弱以至消失.激光粒度仪测定复合微粒的平均粒径约为180nm.     

苏云金芽胞杆菌含不同质粒和不同基因工程菌的生长代谢

用微量热法研究了世界上产量最大的微生物杀中心剂苏云芽胞杆菌(Bacillusthuringiensis)野生菌株YBT－1463,无晶体突变株BMB160和无质粒、无晶体突变株BMB171以及含量不同杀虫蛋白基因工程菌BMB－304－171－A和BMB－304－171－B的生长代谢动力学变化。结果是,含有14个质粒的野生菌株YBT－1463的生长代谢热比无晶体含6个质粒的变株BMB160和无晶体、无质粒突变株BMB171低;将杀虫晶体蛋白基因vryⅠAc和cryⅠC分别转入受体菌BMB171中后,两个工程菌BMB－303－171－A和BMB－304－171－B生长代谢热与受体菌BMB171相比也吸显降低;表明质粒形成一个耗能过程,当受体菌BMB171转入杀虫晶体蛋白基因后,工菌比受茶杯菌的放热大幅度减少,表明基因编码杀虫晶体蛋白也是一个耗能过程,但是含基因cryⅠAc和cryⅠC工程菌BMB－304－171－A和BMB－304－171－B之间的生长代谢没有明显差异。首次报道这些热动力学变化,对杀虫剂发酵生产过程的代谢控有重要指导意义。     

[LCu]_2biPy/GC电极L-半胱氨酸的伏安测定

[LCu]2b iPy/GC电极对L-半胱氨酸(L-Cys)具有良好的电催化氧化作用,催化电流(Ipa)与L-Cys浓度(C)在1×10-3到300 mmol.L-1范围内呈线性关系,相关系数0.9996,检出下限达5×10-7mol.L-1.     

用微量热法测定稀土含硫有机配合物的比热容

推导了用改进的RD496-III型微热量计测定固态物质比热容的计算式. 用Joule 效应确定了仪器在298.15 K时的量热常数和相对标准偏差分别为(63.901±0.030) μV•mW^－1和0.08%, 用Peltier效应测定总不平衡热. 在该仪器上测定的两种标准物质(基准苯甲酸和α-Al₂O₃)比热容的计算值与文献值相差在0.4%以内. 用本法测定了13种固态配合物RE(PDC)₃(phen) (RE＝La, Pr, Nd, Sm～Lu; PDC＝ )的比热容值, 总偏差在1.0%, 与稀土原子序数Z_RE作图呈现“三分组现象”, 说明配合物中RE^3＋与配体间的化学键有一定程度的共价性, 显示了稀土离子4f电子云的扩大效应.     

ZnO缓冲层对Mg0.3Zn0.7O紫外探测器的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Mg0.3Zn0.7O薄膜,并制作了金属-半导体-金属结构的深紫外探测器.研究了高质量ZnO缓冲层的引入对Mg0.3Zn0.7O薄膜的吸收谱和结晶特性以及Mg0.3Zn0.7O紫外探测器响应参数的影响.实验结果表明:ZnO缓冲层的引入使Mg0.3Zn0.7O薄膜的紫外-可见光吸收谱有轻微的红移,但可以明显提高薄膜的结晶质量,同时ZnO/Mg0.3Zn0.7O探测器的I-V特性表明,ZnO缓冲层的引入可以显著提高器件的光电流,改善其响应特性,在20V偏压下将Mg0.3Zn0.7O探测器的响应度由0.035 A/W提高至0.63 A/W.     

具有负反馈的分段曲率校正CMOS带隙基准源

提出了一种新型带有负反馈的分段曲率校正带隙电压基准源,该基准源的主要特色是利用温度相关的电阻比技术获得一个分段曲率校正电流,校正了一阶带隙基准源的非线性温度特性. 该分段线性电流产生电路还形成了一个负反馈,以改善带隙基准源的电源抑制和线性调整率. 测试结果表明：在2.6V电源电压下,该基准源在没有采用校正的条件下,在-50~125℃温度范围内实现了最大21.2ppm/℃温度系数,电源抑制比为-60dB. 在2.6~5.6V电源电压下的线性调整率为0.8mV/V. 采用中芯国际（SMIC) 0.35μm 5V n阱数字CMOS工艺成功实现,有效芯片面积0.04mm2,其总功耗为0.18mW. 该基准源应用于3, 5V兼容的光纤接收跨阻放大器.     

集成电路设计方法及IP设计技术的研究

文章就主要针对集成电路的设计方法和IP设计技术进行研究,希望对相关领域研究提供帮助.     

CDMA系统中一种新的分布式博弈功率控制算法

该文通过设计一种有效的代价函数,提出了一种用于蜂窝CDMA系统的博弈功率控制算法,并证明了该算法纳什均衡的存在及唯一性。通过仿真表明,该文提出的算法同几种经典的分布式算法相比,不但能够加快收敛速度,而且在系统中用户终端多于20的情况下,能够降低系统中用户发射功率。     

光梯度力与激光捕获

从电偶极子在非均匀电磁场中所受梯度力出发,用光的电磁理论和电解质小球的电偶极子模型,论述了介质小球在光场中所受光梯度力与光强梯度成正比,并以此来定量说明激光对介质小球的捕获原理.