激光推进的基本原理和实验进展综述

激光推进是一种新型的推进模式,按作用机理可分为大气模式激光推进和火箭烧蚀模式激光推进两种。分析了两种推进模式的作用原理,论述了激光推进的最新研究进展。     

微机械的三维微细加工技术

在微机械加工中,三维微细加工是不可缺少的。加工方式有复制掩模图使图形一次形成的方式和用聚焦光束等通过描绘使图形逐次形成的方式。这些方式被应用在立体微细加工或表面微细加工上,复制方式中,开发了作为立体加工的、可高速穿透蚀刻基板的低温高速反应离子蚀刻(RIE)技术和作为表面加工的投影光化学气相淀积(CVD)技术。描绘方式中,开发了作为立体加工的硅激光辅助蚀刻技术和作为表面加工的、可在非平面聚合物上形成金属配线的激光CVD技术。这些技术己被应用在微型传感器与微型致动器的制造上。     

多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

参数曲面保凸的一个定理

本文讨论了参数曲面的凸性，给出了参数曲面为凸的充要条件．并给出了具体的应用实例．     

高剥离类镁等电子序列的磁偶极M1和电四极E2光谱跃迁理论研究

利用全相对论性多组态Dirac-Fock广义平均能级方法，系统地计算了类镁离子3s3p磁偶极Ml^3P2--^3P1和电四极E2 ^2P2--^3P0(Z=20-103)光谱跃迁的能级间隔、跃迁几率和振子强度。计算中考虑了原子核的有限体积效应，进行了高阶Breit修正和QED修正，所得到的能级间隔和最近的实验数据及理论计算值进行了比较。计算结果表明：高原子序数的高荷电离子的磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁偶极矩M1和电四极矩E2跃迁过程不容被忽视。     

ICF模拟靶和低温冷冻气体的表征

由于DT或DD固态层的折射率很低，而且，其厚度只有几微米到几十微米。这使得光通过DT或DD燃料层时产生的光学路径也只有几微米到几十微米，远小于ICF靶丸。因此，尽管长期以来使用传统的光学干涉仪测定透明ICF靶丸的壁厚，它们却很难用来精确测定DT或DD固态层的厚度。相反，全息照相技术允许直接测定燃料层的厚度，而极大地忽略ICF靶丸的壁厚。在现在的研究中，已经建立全息照相装置，并且已用来测量ICF模拟靶丸的壁厚和气体的厚度。     

冷冻靶技术研究

在低温物理研究方面，完成高压充气冷冻装置设计工作。设计指标为：充气压力100MPa，增压速率0．5-25MPa／h(可控)，靶丸充注时间6-300h，最小冷却速率1K／min，压力控制精度0．25MPa。系统冷源采用功率0．5-1W、最低温度4．2K的低温制冷机冷却。这种系统使用灵活、方便，只要有电源就可以开展正常的实验，实验时间不受限制，制冷机运行时有微小的振动。     

High repetition rate TEA CO_2 laser with randomly coded wavelength selection

High repetition rate transversely exited atmospheric pressure (TEA) CO2 laser with randomly coded wavelength selection is suggested. The laser wavelength is tuned by a Fabry-Perot (F-P) etalon of low fineness, whose space interval is controlled by a piezoelectric transducer (PZT). A digital controlled programmable voltage source is introduced to vary the voltage applied on PZT so as to swiftly shift the laser output wavelength pulse by pulse. Detailed theoretical analysis is carried out by six-temperature mode rate equations.     

真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。