全文获取类型
收费全文 | 1781篇 |
免费 | 329篇 |
国内免费 | 305篇 |
专业分类
化学 | 472篇 |
晶体学 | 29篇 |
力学 | 81篇 |
综合类 | 18篇 |
数学 | 172篇 |
物理学 | 533篇 |
无线电 | 1110篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 63篇 |
2022年 | 59篇 |
2021年 | 53篇 |
2020年 | 47篇 |
2019年 | 51篇 |
2018年 | 51篇 |
2017年 | 43篇 |
2016年 | 51篇 |
2015年 | 57篇 |
2014年 | 126篇 |
2013年 | 90篇 |
2012年 | 85篇 |
2011年 | 109篇 |
2010年 | 110篇 |
2009年 | 97篇 |
2008年 | 163篇 |
2007年 | 136篇 |
2006年 | 98篇 |
2005年 | 85篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 51篇 |
2001年 | 53篇 |
2000年 | 65篇 |
1999年 | 36篇 |
1998年 | 35篇 |
1997年 | 39篇 |
1996年 | 32篇 |
1995年 | 32篇 |
1994年 | 45篇 |
1993年 | 24篇 |
1992年 | 35篇 |
1991年 | 33篇 |
1990年 | 26篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 18篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 19篇 |
1985年 | 22篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 11篇 |
1975年 | 2篇 |
1963年 | 1篇 |
1961年 | 1篇 |
1955年 | 2篇 |
排序方式: 共有2415条查询结果,搜索用时 14 毫秒
81.
针对PLC项目中的某些参数调节问题,研究了带按键旋转编码开关的工作原理及使用方法。基于西门子S7-1200系列PLC设计了实验,包括硬件配置、接线图及程序设计。通过研究带按键旋转编码开关的工作原理,并对其输出信号进行了分析。根据元件输出特性对PLC进行编程,完成了对开关旋转方向的判别及信号提取。经实验验证,该设计能够实现对参数增减的灵活调节功能,带按键旋转编码开关具有可靠性高、操作便捷、控制精准、调节范围广等特点,将其应用到基于PLC的晶体生长炉控制系统中,使得对晶体生长控制系统的操作更加便捷。 相似文献
82.
细胞色素P450的电化学研究从一个侧面反映了为使细胞色素P450达到工业催化剂的最终目的人们所作的不懈努力。本文从细胞色素P450在电极上的电子转移研究,隧道扫描显微镜的微观成像研究和使用电极作为细胞色素P450的电子给体从而实现细胞色素P450底物转化三方面,评述了近年来细胞色素P450的电化学研究进展。 相似文献
83.
本文通过分析商洛市应急广播体系建设过程和现状以及实际使用中存在的问题,提出如何在经济欠发达地区使基层应急广播真正发挥“战时应急、平时服务、资源共享、分级管理”作用的有效举措。 相似文献
84.
金、铜丝球键合焊点的可靠性对比研究 总被引:2,自引:0,他引:2
金丝球焊是电子工业中应用最广泛的引线键合技术,但随着高密度封装的发展,铜丝球焊日益引起人们的关注。采用热压超声键合的方法,分别实现Au引线和Cu引线键合到Al-1%Si-0.5%Cu金属化焊盘。对焊点进行200℃老化实验的结果表明:铜丝球焊焊点的金属间化合物生长速率比金丝球焊焊点慢的多;铜丝球焊焊点具有比金丝球焊焊点更稳定的剪切断裂载荷,并且在一定的老化时间内铜丝球焊焊点表现出更好的力学性能;铜丝球焊焊点和金丝球焊焊点在老化后的失效模式不同。 相似文献
85.
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。 相似文献
86.
87.
采用约束刻蚀剂层技术, 以亚硝酸钠为先驱物, 通过电化学氧化产生刻蚀剂(硝酸)刻蚀铝, 并以NaOH为捕捉剂, 在电极模板上形成约束刻蚀剂层. 在金属铝表面加工出梯型槽微结构, 加工分辨率约为500 nm. 通过测量表面氢离子浓度, 对捕捉剂的约束效果进行了分析. 相似文献
88.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
89.
L-B膜内银超微粒子的电化学制备及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
在8~14层硬脂酸银L-B膜内,用电化学还原法制备了纳米尺度的银超微粒子,实验表明,银超微粒子的形成是观察多层L-B膜高分辨STM图象的必要条件,利用STM技术不仅观察到8层L-B膜的六方排列的硬脂酸脂链结构,还直接观察到2~3nm直径的球形银超微粒子结构;首次报道L-B膜亲水层原子尺度的网状STM图象,该图象显示了脂链六方的(2×1)结构,是羧基之间由氢键自组织的结果;银超微粒子有很强的表面增强Raman散射效应,由此测得了两层L-B膜在1100~1200cm ~1范围的Raman光谱,为从分子水平认识两层L-B膜的有序性提供了实验基础。 相似文献
90.