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991.
992.
基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明了实验和仿真的一致性。研究表明:随高剂量率的剂量增加,器件阈值电压(VTH)发生了明显负向漂移现象,导通电阻(RDSON)出现5%左右的降低,击穿电压(BVDS)保持基本不变;低剂量率下总剂量效应与高剂量率有明显不同,阈值电压漂移量减小,同时出现正向漂移现象;此时导通电阻(RDSON)和击穿电压(BVDS)较高剂量率变化量进一步下降。研究认为,低剂量率下器件界面缺陷电荷增加变多,使得阈值电压的漂移方向发生改变,同时低剂量率实验周期是高剂量率的500倍,退火效应也较高剂量率的明显,导致器件参数辐射前后差异性减小。 相似文献
993.
轻核(n,x)反应微分截面的实验测量 总被引:1,自引:0,他引:1
对本课题组十几年来的(n,x)反应实验研究工作进行了评述.介绍了屏栅电离室的特点、构造与工作原理.用屏栅电离室在北京大学4.5MV静电加速器上测量了1—7MeV中子6Li(n,t)4He和10B(n,α)7Li反应的微分截面与截面,对实验结果进行了讨论. Our research work on (n, x) reaction for more than one decade is reviewed. The characteristics, structure, and working principle of the gridded ionization chamber are discussed. Differential cross sections and cross sections of the~(6)Li(n, t)~(4)He and~(10)B(n, α)~(7)Li reactions were measured in the neutron energy range of 1—7 MeV by using the GIC method. Experiments were carried out at the 4.5 MV Van de Graaff accelerator of Peking University. Results of the measurement are discussed. 相似文献
994.
电力系统中所需超导磁储能装置(SMES)的容量是其应用中一个重要研究内容.文章运用暂态能量函数法(TEF)分析含超导磁储能装置的单机无穷大系统的故障过程,对超导磁储能装置向系统注入有功,提高系统阻尼和改善系统暂态稳定性进行仿真分析.仿真结果验证了超导磁储能装置对系统的作用效果,在此基础上利用暂态能量初步分析了超导磁储能装置向系统注入能量和系统的暂态能量函数的关系,进一步探讨系统暂态稳定性对超导磁储能装置容量的要求. 相似文献
995.
996.
The equilibrium geometries and the atomization energies of Cu_n(n≤9) clusters have been calculated using the B3LYP/LANL2DZ method. It is shown that the clusters do not copy the bulk structures and undergo significant geometrical changes with size and the atomization energy per atom increases monotonically with size. By analysing the energy level distribution, the Fermi level, HOMO-LUMO gaps, the electron affinities and the ionization potentials are calculated and the results are in reasonable agreement with experiment. These electronic properties are found to be strongly structure dependent, which can be used to determine which of the low-lying structures is observed experimentally. 相似文献
997.
本文讨论了最小二乘法在确定Duffing方程的拟周期解中的应用,并分析了解的精确性、稳定性。 相似文献
998.
999.
1000.
用从头计算方法计算了FC(O)SSC(O)F和ClC(0)SSC(O)Cl分子的结构、势能分布及振动谱。结果表明:FC(O)SSC(O)F具有两种稳定构型(Ⅰ和Ⅱ)。在气相中构型Ⅰ最稳定,具有C_2点群对称性,构型Ⅱ属于C_1点群;ClC(O)SSC(O)Cl仅仅具有一种稳定构型,属于C_2点群。利用势能分布及同位素替代方法确定了振动归属,计算得到的振动频率结果和实验很好地一致。 相似文献