PLD生长Fe_3O_4薄膜的微结构及磁性能研究

以烧结α-Fe2O3为靶材,采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在Si(100)基片上制备了Fe3O4薄膜。XRD分析表明,所得薄膜为立方尖晶石结构的Fe3O4,而且具有(311)和(440)择优取向;显微激光喇曼(Raman)光谱分析进一步证实薄膜中只出现单相Fe3O4;AFM分析表明,所得Fe3O4薄膜表面平整;采用VSM分析表明,Fe3O4薄膜的饱和磁化强度Ms约为170kA·m–1,而其矫顽力约为412kA·m–1。     

InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究

对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。     

以“三屏融合”促进“三网融合”

“三屏融合”是近年来一个热议的话题。所谓“三屏”,是指电脑屏．电视屏和手机屏。“三屏融合”是充分利用现有的平台和资源．以用户为核心,在三屏之间形成良好的视频资讯传递、互补服务,从而使用户更为便捷地收看电视。从满足用户需求角度看．“三屏融合”通过打通用户的空间距离,将典型使用环境与被割裂的时间贯通起来,     

TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析

研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析。     

中放大系数双三极管6SN7GT的应用

6SN7GT是GT型低频放大用多用途中放大系数双三极管．两三极管间除热丝外,完全独立,适于作倒相,激励及阻容耦合放大等用途。该管具有良好的线性．非线性失真在众多电压放大管中最小,1941年美国RCA由6F8G演变而来,应用极广各种6SN7GT管身有高、中、矮三种,管基有胶木及金属之分,某些管壁还有灰色或黑色涂层。     

柱前衍生化-高效液相色谱法跟踪检测酶法制备L-蛋氨酸反应过程

以邻硝基苯磺酰氯为柱前衍生试剂,RP-HPLC为分离手段,选用Lichrospher C18柱,15 mmol/L的磷酸盐溶液(pH5.0)和乙腈为流动相,梯度洗脱,检测波长230 nm,建立了柱前衍生-高效液相色谱法测定N-乙酰-DL-蛋氨酸和L-蛋氨酸的方法,所有组分于20min内洗脱结束。N-乙酰-DL-蛋氨酸和L-蛋氨酸在2.75～254μmol/L范围内线性良好,检出限分别为153 nmol/L和55 nmol/L。加标回收率分别为101.1%和99.8%,相对标准偏差为1.4%和0.89%。本方法可用于酶法或固定化酶法制备蛋氨酸反应体系的跟踪分析。     

多径效应引起的测向误差分析

针对某设备在测向试验中出现的正弦型测向误差分布的现象，文章对存在多径场入射情况时旋转测向体制中交叉波束测向误差进行了分析，得到了其误差表达式，证明正弦型测向误差分布是一种典型的多径效应结果，最后讨论了减少正弦型测向误差分布的方法。     

精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器

在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3.3V下,消耗电流3.1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz频偏处为-82.2dBc/Hz.芯片面积为0.86mm×0.82mm.     

以"毒"攻毒型蠕虫病毒的研究

本文在对一支典型攻毒型蠕虫进行性能分析的基础上,对其不足之处进行改进,提出 了一种新的概念型攻毒蠕虫的概念及技术。该新蠕虫力图找到网络性能影响最小和传播速度最大的 平衡点,以便达到在网络性能降低最小的情况下获得网络安全整体性提高的目的。