聚硅氧烷微球/PMMA光散射材料的 制备与光学性能

采用共混法以聚硅氧烷微球作为光散射剂,聚甲基丙烯酸甲酯为基材制备光散射材料.研究了聚硅氧烷微球的粒径与浓度对光散射材料总光透过率与扩散率的影响并与理论模拟值进行了对比分析.研究结果表明,聚硅氧烷微球与聚甲基丙烯酸甲酯折射率匹配良好,较好地解决了光散射材料透光率与扩散率之间的矛盾,实现了高透射与高雾度的双重要求.当微球粒径为5 μm,填充浓度为0.6 wt%时,厚度为1 mm的光散射材料总光透过率为88.5%,扩散率为89.5%.可见光波段总光透过率基本不受光源波长变化影响.选取合适粒径,扩散率随光源波长变化也可降至最低,有效避免了波长色散现象.实验数据与理论模拟结果符合良好.     

硫酸钡微球掺杂聚碳酸酯材料的光散射特性模拟分析

基于多重米氏(Mie)散射理论和蒙特卡罗(Monte Carlo)方法, 对掺杂硫酸钡(BaSO4)微球体的散射型聚碳酸酯(PC)光散射材料进行了数值模拟。研究了BaSO4粒子粒径、浓度及样品厚度等光学参量对PC材料透光率、扩散率、照度角分布等光学性能的影响, 并进行了设计评估。通过比较不同材料参数下光散射材料光学性能的差别, 总结出了获得良好光学性能所需的合适材料参数。模拟结果为高性能光散射材料的实验制备提供了理论参考。     

双靶反应共溅射制备WC薄膜及其电催化性能

以金属钨靶和石墨靶反应共溅射的方法,在硅片上制备碳化钨薄膜.实验探究了功率和衬底温度对薄膜成分、质量的影响.研究表明,衬底温度为400℃时,薄膜生长致密、均匀,无裂痕;当钨靶功率为55 W,逐渐增大石墨靶功率时,薄膜成分分别为W、W2C、WC1-x.经电化学研究发现W2C、WC1-x两种薄膜均对甲醇有电催化作用,且有很高的比表面积,面积为1 cm2的W2C、WC1-x薄膜电极对应的比表面积分别为33.32 cm2和64.68 cm2.     

体散射液晶导光板的光线追迹模拟

体散射集成导光板是一种新型的液晶背光照明系统设计。基于多重米氏(Mie)散射理论和蒙特卡罗(Monte Carlo)顺序抽样方法,对该类型导光板进行了光线追迹模拟计算与仿真设计。研究了填充粒子材料、粒径、浓度及导光板几何结构等光学参量对输出光强面分布均匀性、照明角度等背光性能的影响,并进行了初步的实验验证及设计评估。研究表明,各光学参量十分敏感,且相互制约,必须进行大量的优化计算才能获得符合实际需要导光板设计方案。导光板输出光面分布的均匀度主要由填充粒子浓度决定,视角特性主要由导光板尺寸,特别是底面倾角决定,色散程度则主要和填充粒子的直径和折射率有关。     

椭偏测厚仪测量结果的计算机数据处理

本详尽介绍了椭偏术测量单层透明薄膜折射率和厚度的方法，采用一种数字迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出所测薄膜的折射率和厚度。经过数值试验及与标准值比对，由此编制的计算程序具有准确，快速，方便的特点。     

射频磁控溅射工艺制备二氧化钒薄膜

以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜.采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态.结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94;原子分数.     

半结晶聚酯(PET)的二相共存结构的表征

采用X射线衍射对称反射法,对半结晶聚酯PET₂试样收集粉末X射线衍射全图(XDWP)数据,用Rietveld方法和Fourier过滤技术,对XDWP拟合并分离成结晶衍射峰之和CR₂和非晶散射峰之和AM₂两部分,与此同时获得PET₂试样的结晶相CR₂的三斜晶系晶胞参数:a=0.445,b=0.592,c=1.072nm,α=99.6,β=116.9,γ=111.9(°),结晶密度d_{c关键词： 聚对苯二甲酸乙二醇酯 二相共存结构 径向分布函数 Rietveld方法 Fourier过滤技术}     

紫外可见吸收光谱仪与椭偏测厚仪联用测量透明光电子薄膜的厚度

采用椭偏测厚仪测量薄膜的折射率,用来修正紫外可见吸收光谱仪极值法测量膜厚的数据.通过制备掺铝氧化锌(ZAO)薄膜及SEM断口观察进行实验验证,证实该修正方法有助于提高膜厚测量精度.联用这2种常规仪器,可以方便地获得0~20μm宽范围的透明光电子薄膜的厚度,数据采集与处理简单快捷,可满足大部分薄膜工艺研究和生产的需要.     

溶胶-凝胶法制备(Pb0.76Ca0.24)TiO3薄膜及性能研究

以硝酸钙、醋酸铅和钛酸丁酯为原料，甲醇做溶剂，乙酰丙酮为稳定剂。用简单的溶胶－凝胶法和快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100）基片成功地制备出四方钙钛矿相（Pb0.76Ca0.24）TiO2(PCT）薄膜。用原子力显微镜、扫描电镜分析了薄膜的表面和断面形貌；测试了薄膜的铁电和介电特性。PCT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为36μC/cm^2和240kV/cm^2，在100kHz，薄膜的介电常数和损耗因子分别为295和0.027。     

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究

ZnS1-x Tex薄膜具有高效的发光特性.样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料.本文介绍了ZnS1-x Tex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析,用紫外-可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究.分析表明,该薄膜的结构符合闪锌矿的特征.紫外-可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰,可见光区的吸收很微弱.光致发光光谱表明,样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰,发射光肉眼可见.该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性.