铬的电离势及类氦Cr~(22 )的E2和M1光谱跃迁的全相对论计算

基于相对论多组态自洽场方法 ,计算了CrⅠ至CrⅩⅩⅣ离子的基态能量和各价电离势 ,类氦Cr2 2 离子的电四极矩和磁偶极矩光谱跃迁数据。计算中考虑了核的有限体积效应、Berit修正、QED修正和轨道极化效应。计算结果与文献的实验和计算值进行了比较。     

活体声荧光成像研究

声荧光应用于生物组织成像研究是最近二年发展起来的新兴领域,本文报道利用高灵敏度的致冷CCD探测系统获取了活体声荧光图像,同时利用一种能在活体内增强声荧光的化学发光试剂FCLA（Fluoresceinyl Cypridina Luminescent Analog,海荧荧光素类似物）,成功地实现了在动物在体成像,这种方法可望在医学影像诊断中得到广泛的实际应用。     

考虑不同破坏形式下隧道锚承载力及破坏阶段研究

现有研究多以锚岩接触面出现塑性区域或应力峰值点转移作为达到极限状态的判别标准,但不同工程地质情况会导致隧道锚(TTA)破裂面线形存在较大差异,很难准确推导出隧道锚的极限承载力.为了进一步探求隧道锚在拉拔荷载下的工作过程,得到更加明确的隧道锚极限承载力的表达形式,采用幂指数函数形式表征倒锥形破坏破裂面的线形,基于Mindlin应力解与峰值剪应力控制理论得到界面破坏应力分布形式,推导了界面破坏与倒锥台破坏形式下的承载能力公式;采用国内5座悬索桥隧道锚承载力进行算例验证,同时分析研究了不同参数对隧道锚极限承载力的影响.研究表明：两种破坏形式下,承载力的主要来源为破裂面的黏结力,占总承载力的50%以上,承载力均随着长度与内聚力的增加而线性增加;承载力随着倾斜角的增加而增加,但增长速度减慢,界面破坏形式下出现先增加后减小的现象.对比以往试验以及数值模拟结果,与该文推导结果基本一致,分析公式计算结果和位移增长曲线,发现隧道锚工作过程明显呈现3个阶段,最终破坏形式为界面破坏和倒锥形破坏两种破坏模式的结合.     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs／InGaAs／GaAs结构中的费密…

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光致发光光谱研究的实验结果，除了观察到ｎ＝１电子子带到ｍ＝１重空穴子带，ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带间的强发光峰，还观察到了ｎ＝１电子子带到ｎ＝１轻空穴子带的弱发光峰，通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置，在这种δ掺杂的ＨＥＭＴｓ的系统中观察了费密边奇异性，并把它归结为费密海与费密边附近未     

自发参量下转换双光子场绝对校准光电探测器的方法研究

讨论了一种基于自发参量下转换双光子场绝对校准光电探测器灵敏度的新方法,着重推导了对自发参量下转换过程中产生的单光子的探测概率和双光子的符合速率,从而阐明了绝对测量光电探测器量子效率的原理.基于这一方法对光子计数型光电倍增管的响应灵敏度进行了测量,并将实验结果与常规方法测得的结果进行了比较. 关键词：     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

采用振动密耦合方法,分别应用球高斯分布极化势和优于绝热极化势,及基于量子力学从头计算的静电、交换势,得到入射电子能量2.40eV时0→2和0→3的振动激发微分散射截面,与目前优秀的实验值比较,获得了满意的结果,并从理论上分析了整个计算过程中可能影响微分散射截面精度的主要物理因素.     

ICF模拟靶和低温冷冻气体的表征

由于DT或DD固态层的折射率很低，而且，其厚度只有几微米到几十微米。这使得光通过DT或DD燃料层时产生的光学路径也只有几微米到几十微米，远小于ICF靶丸。因此，尽管长期以来使用传统的光学干涉仪测定透明ICF靶丸的壁厚，它们却很难用来精确测定DT或DD固态层的厚度。相反，全息照相技术允许直接测定燃料层的厚度，而极大地忽略ICF靶丸的壁厚。在现在的研究中，已经建立全息照相装置，并且已用来测量ICF模拟靶丸的壁厚和气体的厚度。     

Nitrogen Adatom Diffusion on a Ga－Rich GaN （0001） Surface

The diffusion of N adatoms on a Ga-rich GaN(O001) surface has been studied using density-functional theory.The configuration of Ga adatoms on a Ga-rich GaN surface has been identified. The first adlayer Ga adatoms are on top of the terminating substrate Ga atoms, and the outmost adlayer Ga adatoms exist randomly at the T4 or H3 sites. A very different diffusivity of N adatoms on a Ga-rich GaN(0001) surface has been found. The excess Ga adatoms on a GaN(0001) surface reduce the diffusion barrier by 0.75eV and influence the migration path. It seems that bilayer Ga adatoms are helpful for N atom diffusion.     

霍尔推进器的研究现状与发展趋势

电推进是利用电能加热、离解和加速工质，使其形成高速射流而产生推力的技术。与化学推进相比，电推进具有比冲高、推力小、能重复启动、重量轻和寿命长等特点，因而电推进可用作航天器的姿态控制、轨道转移和提升、轨道修正、阻力补偿、位置保持、重新定位、离轨处理、宇宙探测和星际航行等任务。