微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

Keyhole信道下正交空时分组码的性能分析

在某些MIMO（multiple—input multlple-output）衰落环境下，发射或者接收信号不相关，但是系统的信道容量依然很低，这种现象称之为Keyhole效应．本文针对Keyhole衰落MIMO信道，在任意的收发天线数目下，对正交空时分组码进行了性能分析，通过矩生成函数的分析方法，分析了Keyhole信道可以提供的分集增益，给出严格的封闭的符号错误概率表达式．并且针对收发天线数目不相等的情况，给出简洁的近似结果．在Keyhole衰落信道下的计算机仿真表明，，严格的分析结果与仿真结果一致，在高信噪比下，近似表达式也与仿真的结果吻合。     

I-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性

用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物，探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律. 研究结果表明：x=1时化合物的平均键角畸变Δθ最大为4.4. ；当取代分数x＝0, 2, 4时，对应样品的电导率明显高于x＝1, 3时对应样品的电导率，在室温附近，Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率，约为3.0e5S/m，当x=1时，对应化合物的电导率在测试温度范围内最低；当取代分数x＝0, 2, 4时对应样品的Seebeck系数明显高于x＝1, 3时对应样品的Seebeck系数，且随着填充分数的增加，Seebeck系数分别逐渐降低；Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能，在1000K处具有最大的功率因子1.03e-3W/ (m·K2) .     

IEEE 802.11中MAC子层切换过程分析

IEEE 802．11中MAC运行的关键是其切换功能，即当一个移动节点将它的联结从一个接入点转移到另一个接入点的过程。介绍了关于链接层中这种切换过程的实验方法，对延迟的多种原因进行分析，指出了MAC子层的功能探测是全部切换延迟的主要原因。     

基于LVDS技术与FPGA的高速通讯应用研究

针对电子系统设计中不同电路板之间的大量数据的高速实时传送问题,提出采用并行低压传送技术的解决方案;由于Altera公司的Cyclone系列产品提供了对低压差分信号(LVDS)接口的支持,因此选用该器件在宽幅面喷墨绘图机设计中实现了高速的并行低压差分传送接口,数据传输的速率达到20 MB/s。     

Ⅰ-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性

用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2).     

雷达对抗仿真系统的设计与实现

利用系统仿真工具进行雷达对抗系统建模与仿真,可以经济、方便、高效地实现雷达电子对抗双方系统性能的演练及对抗效果综合评估。本文介绍一种基于信号级数据流的雷达对抗仿真系统的基本功能和实现途径。     

全扫描结构可测性设计方法的研究

探讨了在Synopsys软件中用全扫描结构实现数字电路可测性设计中遇到的问题及解决方法，如扫描结构的基本结构、测试的时序等问题。扫描结构对电路本身的结构有严格的要求，重点讨论了扫描结构对电路结构的限制及对违反限制的电路进行修改的方法。     

HL-2A中性束大功率离子源的研制

2007年3月,为HL-2A中性束注入器研制的大功率离子源在核工业西南物理研究院成功通过了测试.该离子源为圆柱结构的桶式离子源型;加速器采用三电极的加减速系统.实验运行参数如下:灯丝加热电流1100A,电压12V,弧放电电压120V,弧放电电流1050A,等离子体密度达2.5×1012/cm3,离子流密度0.44A/cm2;在距等离子体电极5mm的平面上,等离子体的均匀性好于5%,工作脉宽2s.离子源物理设计、工程考虑、实验研究结果等将在本文介绍.     

氘、氚代聚苯乙烯热核聚变材料分子动力学研究

根据工作实际需要出发，开展了与惯性约束聚变物理实验用靶材料密切相关的3方面的初步研究，并且取得了一定成果。这3个方向为：(1)自悬浮定向流纳米金属粉末制备的理论模拟；(2)分散剂对间苯二酚-甲醛(RF)有机气凝胶掺杂过程的影响；(3)微波等离子体刻蚀技术初步研究。