NGN的生产背景及特点

１．网络优化的驱动传统的交换网络是一个封闭式的网络,一直处于网络运营商排他性的控制之下,它的交换功能、呼叫控制以及业务逻辑都在交换机上实现,造成新业务的开发、升级维护都极其不方便,一旦要有所改动,就需涉     

冷聚变拉据战进入百热化

1989年3月27日美国尤氩他大学教授S.Poms和英国南安普顿大学教授M.Fleisch—mann宣布:在钯电极内部出现重氢核聚变,并产生大量的热,中子与氚这一重大发现。(《化学研究与应用》1989 1(1),100),E.F.Mallove认为大量过剩热的产生,不能用已知化学过程来解释,是一种迄今不为人知的核过程,一种异乎寻常的清洁反应。但是,同年在一次美国能源部召开的,罗彻斯特大学核化学家物理学家R.Huizenga主持的会议,断然作出结论:     

采用SDB／SOI衬底的PH传感器

采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。     

多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

高功率激光焊接光致等离子体的检测

系统地归纳了高功率激光焊接过程中光致等离子体的声、光、电、热等四种特征信号,综述了国外在等离子体信号检测方面的试验方法及研究进展,分析了未来的发展趋势。     

红外干扰机原理分析及其初步实验

本文介绍了一种红外干扰机,分析了它对使用调制盘的红外导引头的干扰原理,给出了干扰实验结果。     

高功率高光束质量环形凹面镜激光谐振腔

激光谐振腔是激光系统的核心部件,常用球面镜激光谐振腔难以在短增益介质下同时获得高功率和高光束质量的激光输出。     

喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能

利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜,研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096eV减小为0.046eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度。