铯原子汽室中光学厚度的实验测量与精确模拟EI北大核心CSCD

对铯原子汽室中不同能级和不同温度的原子在不同光强和不同偏振光作用下的光学厚度进行了实验测量。理论上通过建立每个塞曼子能级的速率方程,利用龙格-库塔算法求得了布居数随时间演化的数值解,从而得到了依赖于时间的吸收系数。考虑到原子热运动以及光束束宽对光学厚度的影响,利用数值积分得到了原子共振频率附近的平均吸收系数,进而利用比尔法对光通过铯原子汽室的透射曲线进行了精确的拟合,最终得到了实验系统中原子汽室光学厚度的精确值。理论分析和实验结果表明,随着温度的升高,光学厚度迅速增大;随着光强的增加,光学厚度略有变小。     

GaN/SiO_2刻蚀选择比的研究

在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/SiO2刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为165nm/min时的GaN/SiO2选择比为8∶1。设备验收时GaN刻蚀速率为70nm/min,GaN/SiO2选择比为3.5∶1,可以应用于实际生产。     

基于Rietveld精修方法解析Bi2O3的原子热振动

三氧化二铋(Bi₂O₃)是氧离子导电体,为了获得它的原子热振动各向同性温度因子,对该粉末晶体进行X射线衍射实验,建立了晶体结构模型,利用Rietveld 精修方法的RIETAN-2000 程序对所得实验结果进行了晶体结构精修,通过最大熵方法(MEM)解析得到了粉末晶体的等高电子密度分布三维(3D) 和二维(2D)可视化图谱。结果表明,各原子Bi₍₁₎、Bi₍₂₎、O₍₁₎、O₍₂₎和O₍₃₎的原子热振动各向同性温度因子分别为0.004 938 nm²、0.004 174 nm²、0.007 344 nm²、0.007 462 nm²、和0.007 857 nm²,等高电子密度分布的可视化,进一步验证了晶体结构模型和原子位置的准确性,这些参数对研究晶体材料的热性质具有一定参考意义。     

基于SPOC的翻转课堂信息化教学设计——以“Excel数据图表”为例

以MOOC为代表的互联网课程的发展滋生着各种问题,加之缺乏积极互赖的合作,迄今为止取得的教学成效并不佳。为打破初中信息技术学科教学中技术环境的建多用少、教材组合的认知窄化、学生学习的自主性差、教学秩序的管理散乱等困境,文章从基于SPOC的深度学习理念及积极互赖的翻转课堂教学理念出发,运用基于SPOC的翻转课堂信息化教学的优势进行Excel数据图表的信息化教学设计。     

核磁共振谱中的单位问题

在有机化学教学中,要讲到核磁共振的基本原理,并应用核磁共振谱分析测定有机化合物的结构。目前在有机化学教科书中,核磁共振谱图的横坐标仍沿用磁场强度H。现按SI或国家标准应改用磁感应强度B。 H的单位是奥斯特(Oe),而B的单位则是高斯     

一类不可导函数的单调性

利用Schw arz导数的相关知识,讨论了一类不可导函数的单调性,并给出几个重要且实用的结论.     

卫星通信技术的新进展

本文对国内外卫星通信的最新发展作了详尽论述；并综合概括了未来卫星通信技术的发展趋势；最后，对卫星通信市场进行了预测。     

电子激发态CH（C^2Σ^＋）自由基的猝灭速率常数的测定

用２６６ｎｍ激光光解ＣＨＢｒ３分子产生ＣＨ（Ｃ）态自由基，通过测量ＣＨ（Ｃ＾２Σ＾＋→Ｘ＾２Ⅱ）的总荧光信号强度来测定室温下Ｏ２、Ｎ２、ｎ－Ｃ５Ｈ１２、ｎ－Ｃ６Ｈ１４和ｎ－Ｃ７Ｈ１６对ＣＨ（Ｃ２Σ＾＋，ｖ′＝０）的猝灭常数。结果表明，这些碰撞伴侣（Ｏ２和Ｎ２例外）对ＣＨ（Ｘ、Ａ、Ｂ和Ｃ）的反应或猝灭速率常数ｋ存在下列关系：ｋ（Ｘ）〉ｋ（Ｂ）〉ｋ（Ａ）≈ｋ（Ｃ），且烷烃分子对ＣＨ（Ｃ）态的猝灭速率常     

应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善

应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si₃N₄层应力值、SiO₂层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NMOS器件性能的影响,优化了工艺条件。结果表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(I_dsat-I_off)较传统NMOS器件提高了6%。