PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE（Reactive Ion Etching）金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。     

过模弯曲圆波导模式耦合设计

基于耦合波理论,波导轴线采用常规圆弧弯曲和改进的正弦弯曲结构,对TE01—TM11模式变换器进行全面优化分析,计算中考虑了多模、反向波、金属壁所带来的欧姆损耗以及相位重匹配等因素.以正弦弯曲设计的Ka波段TE01—TM11模式变换器的转换效率达到99%,带宽超过32%,并得出常弯曲结构中波导半径、波导曲率、变换器长度和转换效率之间的关系.     

多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路

对多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NM O S和PM O S的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NM O S和PM O S的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm,NM O S和PM O S的峰值跨导分别为136.85 m S/mm和81.7 m S/mm。在工作电压为3 V时,1.2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66 ps。     

重氮偶合反应合成超支化偶氮聚合物的光响应性能研究

利用重氮偶合反应和后重氮偶合反应制备了主链和端基含有不同假芪型偶氮苯生色团的超支化偶氮聚合物.利用氢核磁共振、紫外光谱、红外光谱等分析手段确定了合成聚合物的结构、玻璃化转变温度和光谱特性等.研究了聚合物光致二向色性的性能,此聚合物的取向有序度为0.063.用两束相干的P偏振Ar+激光对聚合物膜进行光加工,得到形状规则的正弦波形表面起伏光栅,末端偶氮苯基团的引入极大地增加了超支化偶氮聚合物的光响应速度.     

一种雷达强杂波区副瓣对消技术

副瓣对消是雷达抗有源干扰的主要手段之一.当雷达在进行低空探测时,由于地杂波的影响,使得副瓣对消性能下降,无法有效对抗有源干扰.针对此问题,本文提出了一种强杂波区副瓣对消技术,降低地杂波对副瓣对消处理的影响.实际测试结果表明该方法可有效降低地杂波对副瓣对消性能的影响,解决雷达在低空探测时无法有效对抗有源干扰的难题.     

2005年我国LED显示屏产业发展综述

文章总结了2005年国内LED显示屏产业发展总体情况,对LED显示屏产业和市场发展进行了分析,介绍了LED显示屏产业技术和标准化进展,展望了LED显示屏产业的未来发展趋势。     

基于电力调度生产信息多维数据柔性分析方法的研究与应用

本文主要阐述了基于电力调度生产信息多维数据柔性分析系统的建设思路,发电厂生产调度多维分析系统依靠先进可靠的信息技术、网络技术、实时数据库、大数据及AI技术,按照当前普遍采用的国际与行业标准,实现了实时信息采集、数据处理、分析计算、远程监控、安全报警与紧急处理、数据存储、历史数据情况分析与总结。系统设计采用B/S结构,程序为分布式架构,进行模块化封装,包含模板设计、查询统计设计、计划管理、生产管理等多个模块,主要用于与用户交互,并实现系统的各种功能,如生产报表、报告模板自定义、工作流自定义以及查询统计自定义等。本文包括关键用户需求分析清单、系统整体设计路线、系统设计原则、系统功能架构、系统技术架构、系统安全设计、系统各功能模块的详细设计等方面,详细阐述了生产调度多维分析系统的构建方法和技术。     

空间雷电探测实时采集定位系统

星载雷电探测定位系统是利用光学探测器探测闪电事件的地理位置和光脉冲波形,系统采用CPLD+DSP的数字图像处理方案,利用了CPLD复杂逻辑可编程特性将系统的部分或全部功能集成在一片CPLD上,减小了系统硬件复杂程度,节省了印制版空间.利用DSP高速数字信号处理特性完成实时处理图像数据的功能.系统用CPLD完成图像信号的采集、编码和存储控制,缩小了星载设备体积,简化了电路结构;用DSP完成大量图像数据处理工作,提高了系统工作的实时性.