大功率、多信道通信系统中无源互调的产生机理和测试系统的设计

移动通信的飞速发展带来了许多愉悦地体验,也带来了许多问题,其中系统中的无源互调问题日益严重,引起多方地关注。鉴于越来越多的移动通信系统设备制造商投入到无源互调的测试及问题解决中,文章从无源互调的产生机理、无源互调的测量方法等方面对无源互调进行了分析。结合多年的无源互调测试经验,介绍了自制无源互调测试系统的搭建,并与国内外测试设备进行了对比。最后给出了一些减小或降低无源互调的措施和建议。     

我的手机视频应用

手机的专业应用 我的手机视频应用开始于两年前,2010年初我们工作室要拍一个按现在的叫法叫“微电影”的片子。这个片子的定位是丽江的网络城市宣传片,考虑到网络传播的需要,为了增加噱头我们决定用手机来拍。     

CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.     

机载红外对抗系统

战争催生红外对抗大市场。红外制导的空空和地空导弹对战术飞机构成了最大的威胁,特别是对低空、慢速飞行的直升机。第一代红外制导导弹使用工作在1μm和2μm波段的红外探测器,如美制“红眼”和AIM9“响尾蛇”空空导弹,苏制“环礁”空空导弹。这种导弹瞄准温度较高的飞机尾部喷气发动机排出的热气,只能尾随攻击飞机。通过施     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

鱼头NINJA摇臂应用报告

在今年的BIRTV展会上,有个东东吸引了我的注意,它就是台湾鱼头发明的摇臀。我不是对他绑在身上的移动摇臂有兴趣,而是对他的盔臂体本身产生了极大的兴趣。因为工作室8年前买的小摇臂就像—头老牛,已经拉不动了,该退休了很长一段时间我都在物色一款新的小摇臂,我希望拥有一台有以下特点的小摇臂：     

四网协同下的多频共用一体化天馈设计

本文通过超宽带天线振子、馈电网络的研究,结合差分进化与遗传退火优化算法,提出了GSM、TD-SCDMA和LTE的一体化天馈系统综合解决方案,实现了四网协同下的多频共用一体化天馈设计,可节约大量的支撑设备、传输设备投入,为运营商多网络天馈建设提供了有效的设计方法。     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关