氧化锡表面的原子簇模型计算

Cluster models of SnO2(110) face and oxygen vacancies and oxygen adsorption on its surface have been calculated by EHMO method. The results show that a tin atom with a coordination number of four is the adsorption center, because the total energy of cluster model becomes lower when an oxygen atom adsorpts on the tin atom with a coordination number of four. The tin atom with this coordination number gains and loses electrons more easily than tin atoms with a coordination number of five. All tin atoms in the cluster of SnO2(110) face are Sn4+.     

机·能·美——专访SONY设计中心设计经理市川和南及明星设计师小笠原伸一

卓越，源于品质可靠的产品体系。每一款高品质产品的问世，背后总是凝聚着更多的幕后英雄。SONY PSP、SONY VAIO UX、SONY VAIO TX……这些耳熟能详的名字都是出自SONY幕后的优秀设计师之手。SONY的产品设计世界闻名．而这些默默无闻的英雄又是如何构思．如何设计的？我们这次有幸揭开了他们的庐山真面目。     

DSP在高精度数字式电机测速中的应用

在分析M法、T法,M/T法这三种基于数字脉冲计数的电机测速方法的基本原理及其误差根源的基础上,以TI公司的数字信号处理芯片TMS320LF2407A为核心,使用改进的M/T法,介绍了DSP(Digital Signal Processor)在电机测速中的应用,并给出了一种快速高精度数字式转速测量系统的软硬件实现方法.这种转速测量系统具有测速精度高、测速范围宽和测速精度与被测转速无关等优点,具有广阔的应用前景.     

稀土共晶闪烁材料研究进展

闪烁材料已经被广泛用于高能物理、核医学影像、工业无损检测、港口安全检查、地质勘探、航天探测等领域。具有5d→4f允许跃迁的三价稀土离子激活的稀土闪烁材料具有高光输出和快荧光衰减特性,已成为无机闪烁材料的重要组成部分。随着上述各应用领域,尤其是核医学诊断对成像分辨率提出了越来越高要求,核医学影像对探测成像设备的核心材料——闪烁材料性能的要求也有了更高的要求。最近研究表明,具有有序微纳结构的共晶闪烁材料由于具有微米级的像素单元,在对高能射线探测中可显著提高成像分辨率,而受到了特别的关注。本文从共晶闪烁材料的制备、性能优化及应用等方面,综述了稀土共晶闪烁材料中有序微纳结构的形成机制及其对材料闪烁性能的影响,以及近年来稀土共晶闪烁材料的研究进展。     

添加剂PVP和MTS对合成Beta分子筛结构与性能的影响

分别以铝酸钠和硅溶胶为铝源和硅源,四乙基氢氧化铵为模板剂,在水热条件下,考察了添加剂(聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和甲基三乙氧基硅烷(MTS))对合成Beta分子筛结构与性能的影响,并通过XRD、TEM、BET、ICP、~(29)Si-NMR和NH_3-TPD等方法对合成样品进行了结构表征和作用机理讨论,同时以催化裂化异丙苯为模型反应评价其催化性能。结果表明,与传统Beta分子筛相比,加入PVP后所得样品具有更高结晶度和较高的硅铝物质的量比(25.68)以及较大的比表面积(772 m~2/g);而加入MTS后尽管具有较大比表面积(657 m~2/g)和较高硅铝物质的量比(25.76),但是结晶度却相对降低,且粒径减小(160-320 nm)。两种添加剂作用下所得样品均具有更多酸量,在催化裂化异丙苯的反应中表现出较高的催化活性。     

气垫导轨实验中滑轮摩擦的误差修正

在气垫导轨实验中,根据测量数据得到了不同条件下滑轮摩擦力的大小,并通过曲线拟合,提出了修正滑轮摩擦力影响的方法,最后得到了更精确的实验结果,为减少该实验的误差提供了有益的借鉴.     

纳米复合磁性材料技术发展动态

介绍了纳米复合磁性材料的技术优势,从制备工艺与磁性能以及制备工艺与微结构两个方面,分析了纳米复合永磁材料的发展动态。     

Modeling and character analyzing of multiple fractional-order memcapacitors in parallel connection

Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In this paper,the analysis of the multiple fractional-order voltage-controlled memcapacitors model in parallel connection is studied.Firstly,two fractional-order memcapacitors are connected in parallel,the equivalent model is derived,and the characteristic of the equivalent memcapacitor is analyzed in positive or negative connection.Then a new understanding manner according to different rate factor K and fractional orderαis derived to explain the equivalent modeling structure conveniently.Additionally,the negative order appears,which is a consequence of the combination of memcapacitors in different directions.Meanwhile,the equivalent parallel memcapacitance has been drawn to determine that multiple fractional-order memcapacitors could be calculated as one composite memcapacitor.Thus,an arbitrary fractional-order equivalent memcapacitor could be constructed by multiple fractional-order memcapacitors.