小波降噪对TDLAS 干涉抑制的研究

基于多光程吸收池的可调谐半导体激光吸收光谱 (TDLAS) 系统在检测过程中容易出现噪声干扰, 影响着其 实际检测性能。针对这种干扰的特征进行分析, 提出利用小波降噪法来改善 TDLAS 系统的探测性能。首先依据理论 研究结果选择合适的小波函数和分解层数, 然后通过这种小波对叠加干扰的仿真信号进行滤波, 结果表明这种降噪技 术具有良好的去噪效果。最后利用小波降噪技术处理了实验采集的不同浓度气体的直接吸收光谱 (DAS) 和二次谐波 信号, 相比于原信号, 降噪后信号的信噪比从 0.4 增加到 259, 系统的检测限也达到 7×10−6, 表明小波降噪方法在气体 光谱检测中具有较高的应用价值。     

一种基于进化模型的聚类算法

对于模糊聚类算法对初值或者隶属度矩阵敏感,不能保证收敛到全局最优解的问题,文中提出了一种新的进化聚类算法遗传模拟退火聚类算法SAGA-FCM。利用模拟退火算法较强的局部搜索能力和遗传算法较强的全局搜索能力,以避免模糊聚类算法收敛到局部极值或鞍点。实验对不同的人工数据集进行测试,结果分析表明SAGA-FCM算法有比较好的收敛值和收敛速率,具有良好的聚类效果。     

RXFT-1热成象系统性能测试仪介绍

研制成功的RXFT-1型测试仪用来测试与评价热成象系统的最小可分辨温差(MRTD)及最小可探测温差(MDTD)。本文简述RXFT-1型整机设计的一些内容,包括仪器原理,观测方法及性能指标。     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器

提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器。该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变,而频率则与CCCII±的偏置电流成正比,PSPICE仿真结果与理论分析相符。     

薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路

对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 ps     

一种改进的支持向量机模式分类方法

支持向量机(Support Vector Machine,SVM)是在统计学习理论基础上发展起来的一种新的机器学习方法,已成为目前研究的热点,并在模式识别领域有了广泛的应用.首先分析了支持向量机原理,随后引入一种改进的径向基核函数,在此基础上,提出了一种改进核函数的SVM模式分类方法.与基于IRIS数据,进行了计算机仿真实验,与基干模糊k-近邻的模式分类仿真结果比较,结果表明改进的SVM方法分类性能比模糊k-近邻算法(Fuzzy k-Nearest Neighbor,FKNN)的分类性能更好,运算时间更短,更易于实时实现.     

基于多个非刚体目标跟踪的视频对象平面生成算法

提出了一种提取运动对象的新的视频序列分割算法。算法的核心是一个对象跟踪器,它利用一种基于对象行为的跟踪算法对多个非刚体目标有效地进行对象跟踪,并与后续帧进行匹配,然后采用一种基于运动相连成分的模型刷新方法对模型的每一帧进行刷新,初始的模型自动产生,再利用滤波技术滤除静止背景,最后,利用边界图像模型从序列中提取出视频对象平面（VOP）。